DSB221SJ晶振,2520高精密TCXO晶振,大真空石英晶体振荡器

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KDS晶振,温补有源晶振,DSB221SJ晶振

频率：10M~40MHZ

尺寸：2.5x2.0mmm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-27876565

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日本株式会社大真空KDS晶振发展史：

1959年在在神户市成立加工电子零件和石英晶体,进口晶振,KDS晶振,石英水晶振荡子.

1963公司变更为合股公司组织.

1965开始大规模生产石英晶体谐振器,32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器等部件.

1970年日本株式会社大真空KDS晶振在东京办事处开业.

1973年开设kurodasho厂（现在的西胁工厂）生产晶体管.

1974年开设川厂（现在的凉厂）是目前人造石英晶体,（SPXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,(OCXO)恒温晶体振荡器等生产规模最大的.

1976年开设宫崎厂（目前九州大真空公司）为音叉型石英晶体谐振器生产,在加古川市完成新总部.

1977年成立和谐电子公司建立大真空（美国）有限公司开始向美国市场供应晶体谐振器.

1980年开设鸟取工厂（目前鸟取生产部）对晶体谐振器生产增加.同年开始生产石英晶体滤波器和晶振时钟.

1981年建立大真空（香港）公司开始提供音叉型石英晶体谐振器,晶体振荡器,有源晶振的香港和中国市场.

1983年大阪证券交易所二期上市.

1984年独立完成中心实验室,开设德岛工厂（目前德岛生产部）作为人造石英晶体的稳定的生产基地,部分设备和石英谐振器,开始大规模生产光学低通滤波器.

1985年打开德岛第二厂开始生产陶瓷产品,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振,陶瓷雾化片打开配送中心在加古川市.

1987名古屋办事处开业.开始的温度补偿晶体振荡器（TCXO晶振）生产和电压控制晶体振荡器（VCXO）.

1988建立大真空（新加坡）有限公司加强在东盟地区销售.

1989更改公司名称大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亚启动海外生产晶体谐振器.

1990-1991大阪证券交易所第一节上市.建立大真空（德国）公司加强在欧洲的销售.

1993建立了天津该公司开始音叉型石英晶体谐振器,石英水晶振荡子,陶瓷振动子,32.768K,时钟晶体,压电石英晶体的海外生产.

1996日本株式会社大真空KDS晶振获得ISO9001（国际标准化组织质量管理标准）.

1998（获得QS9000质量标准/汽车质量保证管理体系.）

2000获得ISO14001（环境管理体系由国际标准化组织）,获得ISO / TS 16949（技术规范由国际标准化组织）.

2003扩大生产规模天津加工厂面积,成立上海锐致国际贸易有限公司加强在中国的销售.以和谐电子公司为我公司的综合子公司加强石英晶振,压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等器件业务.

2010日本株式会社大真空KDS晶振建立大真空（泰国）有限公司.

2012日本株式会社大真空KDS晶振扩大在加古川市中央实验室的地板尺寸.

2013东京证券交易所第一节上市.

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KDS晶振,温补有源晶振,DSB221SJ晶振,温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作温度范围: - 30度~85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.

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KDS晶振型号		DSB221SJ晶振
输出频率范围		10M~40MHz
标准频率		13MHz/19.2MHz/20MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz
电源电压范围		+2.6V~+3.3V
电源电压（Vcc）		+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗电流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待机时电流		-获取等多晶振参数信息请联系我们http://www.vc-tcxo.com
输出电压		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
输出负载		10kΩ//10pF
频率稳定度	常温偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	温度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30~+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40~+85℃（Option）
	电源电压特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	负载变化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	长期变化	±1.0×10^-6 max./year
频率控制	控制灵敏度	±3.0×10^-6,±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6,±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	频率控制极性	正极性

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在使用KDS晶振时应注意以下事项
如何正确的使用有源晶振

电处理：

将电源连接到有源晶振指定的终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度.KDS晶振,温补有源晶振,DSB221SJ晶振

有源晶振的负载电容与阻抗

负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,超薄小有源贴片晶振晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.

机械处理

当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.

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: KDS晶振,VC-TCXO晶振,DSA221SE晶振; 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

: KDS晶振,TCXO晶振,DSB221SE晶振; 温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

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