大真空晶振,温补晶振,DSB221SCM晶振,DSB221SCB晶振
频率:9.6M~52MHZ
尺寸:2.5x2.0mm
日本株式会社大真空KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念“依赖”于“可靠的人”“可靠的产品”和“可靠的公司”.作为全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会,更方便人们更舒适,通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器(VCXO)、温补晶体振荡器(TCXO)、恒温晶体振荡器(OCXO)、陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好.
日本株式会社KDS晶振不断努力为我们的客户在日本国内外提供世界一流的质量和满意程度高.所生产石英晶体,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美国、英国、德国,到中国,新加坡,泰国和其他亚洲国家.以“依赖”为公司方针,以客户为导向,创新高效的经营管理,努力创造利润,履行企业社会责任.
日本株式会社大真空KDS晶振三种信赖行为守则:
可靠的人以独立、自助、自足的努力作为基本的行动原则,我们将充分利用我们的优势,为社会整体和接近一切真诚和热情.
可靠的晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器,,我们将帮助实现一个富裕的社会,通过优化我们的能力,开发最好的产品和服务,并提供给我们所有的客户在世界各地.
可靠的公司,我们努力履行我们的企业社会责任,通过持续的利润,通过企业活动,遵守所有的法律法规,尊重他们的精神,注重与全球环境的和谐.
大真空晶振,温补晶振,DSB221SCM晶振,DSB221SCB晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
晶振的真空封装技术:是指大真空石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一
KDS晶振型号 |
DSB221SCM晶振,DSB221SCB晶振 |
|
输出频率范围 |
9.6~52MHz |
|
标准频率 |
16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
|
电源电压范围 |
+1.68~+3.5V |
|
电源电压(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
|
消耗电流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz) |
|
待机时电流 |
-更多晶振参数信息请联系我们http://www.vc-tcxo.com |
|
输出电压 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
输出负载 |
10kΩ//10pF |
|
频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
温度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃ |
|
电源电压特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
负载变化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
长期变化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
频率控制 |
控制灵敏度 |
- |
频率控制极性 |
- |
|
启动时间 |
2.0ms max. |
在使用KDS晶振时应注意以下事项
以下是石英晶振电路设计匹配问题:
一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. (请参阅芯片组的规格)
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.
一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是进口石英晶体振荡器,晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:
线路连接的电阻(R)与晶体串联
(2)从起点到振荡的停止点调整R的值.
(3)振荡期间测量R的值.
(4)你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.
如果KDS晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:
降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL).
采用具有较低电阻(RR)的晶振.大真空晶振,温补晶振,DSB221SCM晶振,DSB221SCB晶振
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.
当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.
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