AT-49晶振,KDS晶振,49S石英晶振

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KDS晶振,石英晶振,AT-49晶振

频率：3.072M~70MHZ

尺寸：11.0x4.6mm

插件石英晶振适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能

订购热线：0755-27876565

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日本株式会社大真空KDS晶振集团设立在日本国兵库县加古川市平冈町新在家,创业时间为1959年11月3日,正式注册成立是在1963年5月8日,当时注册资金高达321亿日元之多,主要从事电子元件以及电子设备生产销售一体化,包括晶体谐振器,音叉型晶体谐振器,石英晶体应用产品,石英晶体振荡器,晶体滤波器,晶体光学产品,硅晶体时钟设备,MEMS振荡器等.

日本株式会社大真空KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念“依赖”于“可靠的人”“可靠的产品”和“可靠的公司”.作为全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会,更方便人们更舒适,通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好.

1959年在在神户市成立加工电子零件和石英晶体,进口晶振,爱普生晶体,KDS晶振,石英水晶振荡子.

1963公司变更为合股公司组织.

1965开始大规模生产石英晶体谐振器,32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器等部件.

1970年日本株式会社大真空KDS晶振在东京办事处开业.

1973年开设kurodasho厂（现在的西胁工厂）生产晶体管.

1974年开设川厂（现在的凉厂）是目前人造石英晶体,（SPXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,(OCXO晶振)恒温晶体振荡器等生产规模最大的.

1976年开设宫崎厂（目前九州大真空公司）为音叉型石英晶体谐振器生产,在加古川市完成新总部.

1977年成立和谐电子公司建立大真空（美国）有限公司开始向美国市场供应晶体谐振器.

1980年开设鸟取工厂（目前鸟取生产部）对晶体谐振器生产增加.同年开始生产石英晶体滤波器和晶振时钟.

1981年建立大真空（香港）公司开始提供音叉型石英晶体谐振器,晶体振荡器,有源晶振的香港和中国市场.

1983年大阪证券交易所二期上市.

1984年独立完成中心实验室,开设德岛工厂（目前德岛生产部）作为人造石英晶体的稳定的生产基地,部分设备和石英谐振器,开始大规模生产光学低通滤波器.

1985年打开德岛第二厂开始生产陶瓷产品,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振,陶瓷雾化片打开配送中心在加古川市.

1987名古屋办事处开业.开始的温度补偿晶体振荡器（TCXO）生产和电压控制晶体振荡器（VCXO）.

1988建立大真空（新加坡）有限公司加强在东盟地区销售.

1989更改公司名称大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亚启动海外生产晶体谐振器.

1990-1991大阪证券交易所第一节上市.建立大真空（德国）公司加强在欧洲的销售.

1993建立了天津该公司开始音叉型石英晶体谐振器,石英水晶振荡子,陶瓷振动子,32.768K,时钟晶体,压电石英晶体的海外生产.

1996日本株式会社大真空KDS晶振获得ISO9001（国际标准化组织质量管理标准）.

1998（获得QS9000质量标准/汽车质量保证管理体系.）

2000获得ISO14001（环境管理体系由国际标准化组织）,获得ISO / TS 16949（技术规范由国际标准化组织）.

2003扩大生产规模天津加工厂面积,成立上海锐致国际贸易有限公司加强在中国的销售.以和谐电子公司为我公司的综合子公司加强石英晶振,压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等器件业务.

2010日本株式会社大真空KDS晶振建立大真空（泰国）有限公司.

2012日本株式会社大真空KDS晶振扩大在加古川市中央实验室的地板尺寸.

2013东京证券交易所第一节上市.

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KDS晶振,石英晶振,AT-49晶振,插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能

石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴.

对于圆片晶振,X、Z 轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品（如部分定单的 UM-1）,会在 X 轴方向进行拉弦（切掉一小部分）,以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在 Z 轴上.保证晶振产品的温度特性.石英晶振产品电极的设计：石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率；2.往外界引出电极；3.改变电阻；4.抑制杂波.第1、2、3项相对简单,第4项的设计很关键,电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化.特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求.

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KDS晶振规格	单位	AT-49晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	3.072M~70MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-30°C ～ +85°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C ～ +60°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8PF ,10PF,12PF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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AT-49 yijin-4 在使用KDS晶振时应注意以下事项:

DIP 产品
已变形的石英晶振引脚不能插入板孔中.请勿施加过大压力,以免引脚变形.

SOJ 产品和SOP 产品

请勿施加过大压力,以免石英晶振引脚变形.已变形的石英晶振引脚焊接时会造成浮起.尤其是SOP产品需要更加小心处理.

超声波清洗

（1）使用AT-切割晶体和表面面滤波器波（SAW）/声表面谐振器的产品,可以通过超声波进行清洗.但是,在某些条件下, 晶振特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏.确保已事先检查系统的适用性.

（2）使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶振可能受到破坏.

（3）请勿清洗开启式晶振产品

（4）对于可清洗晶振产品,应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等.

（5）焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固.这会引起诸如位移等其它现象.这将会负面影响产品的可靠性和质量.请清理残余的助焊剂并烘干PCB.KDS晶振,石英晶振,AT-49晶振

操作

请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面.

使用环境（温度和湿度）

请在规定的温度范围内使用石英晶振.这个温度涉及本体的和季节变化的温度.在高湿环境下,会由于凝露引起故障.请避免凝露的产生.

晶振/石英晶体谐振器

激励功率

在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率（请参阅“激励功率”章节内容）.

负极电阻

除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）.

负载电容

有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）.

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AT-49晶振 KDS晶振 49S石英晶振

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