西铁城晶振,有源晶振,SSX-750P晶振
频率:1.000MHz-125.000MHz
尺寸:7.0x5.0x1.6mm
汽车电子的要求也比科技数码产品高的多,特别是耐温这块,都有一定的要求值,比如:7050mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面石英贴片晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
	
 
日本西铁城株式会社品牌【CITIZEN】,该品牌创立时间在1918年,早期主要研发与生产时计产品,在1959年西铁城成功研发出防水,防振的手表,从此轰动世界成为了个性时尚品牌.在1975年西铁城会社成立了西铁城株式会社水晶事业部,从此研发音叉型压电石英水晶振动子.微晶晶振,进口晶振
西铁城株式会社晶振集团,作为全球企业可持续的社会的实现,集团一体推进地球环境保全活动.推进了环境考虑的产品和服务的产品和服务.为了提供社会,努力维护地球环境.遵守环境相关的法令、条例、限制、协定及其他要求事项,环境负荷的降低和污染的防止努力.
西铁城株式会社工厂、办公室节能、省资源、资源循环、化学物质的合理管理推动,地球温暖化防止及循环型社会的实现贡献.与采购单位、供应商等的客户合作,温室效应气体削减,资源的有效利用,努力对晶振,日本进口晶振,压控晶振,温补晶振的化学物质的管理强化等.地域社会环境保全活动及生物多样性保全活动的参加,环境関搭配等的信息积极的公开的事,与社会的交流的知识进一步加深协调进一步的协调.这个环境方针是根据文件等的全体职员以及共同工作的人们.按照这个环境方针,设定环境目的和目标,确实是落实,对其进行重新评估,努力持续改善.
	
 
西铁城晶振,有源晶振,SSX-750P晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术:是超小型、超低频SPXO石英晶振元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶振行业的技术难题之一.我公司亿金电子具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定.
	
 
| 
					 西铁城晶振项目  | 
				
					 符号  | 
				
					 SSX-750P晶振规格说明  | 
				
					 条件  | 
			
| 
					 输出频率范围  | 
				
					 f0  | 
				
					 1.000MHz-125.000MHz  | 
				
					 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息  | 
			
| 
					 电源电压  | 
				
					 VCC  | 
				
					 1.60 V to 3.63 V  | 
				
					 请联系我们以了解更多相关信息  | 
			
| 
					 储存温度  | 
				
					 T_stg  | 
				
					 -55℃ to +125℃  | 
				
					 裸存  | 
			
| 
					 工作温度  | 
				
					 T_use  | 
				
					 G: -40℃ to +85℃  | 
				
					 更多详情欢迎咨询http://www.vc-tcxo.com/  | 
			
| 
					 H: -40℃ to +105℃  | 
			|||
| 
					 J: -40℃ to +125℃  | 
			|||
| 
					 频率稳定度  | 
				
					 f_tol  | 
				
					 J: ±50 × 10-6  | 
				
					 
  | 
			
| 
					 L: ±100 × 10-6  | 
			|||
| 
					 T: ±150 × 10-6  | 
			|||
| 
					 功耗  | 
				
					 ICC  | 
				
					 3.5 mA Max.  | 
				
					 无负载条件、最大工作频率  | 
			
| 
					 待机电流  | 
				
					 I_std  | 
				
					 3.3μA Max.  | 
				
					 ST=GND  | 
			
| 
					 占空比  | 
				
					 SYM  | 
				
					 45 % to 55 %  | 
				
					 50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF  | 
			
| 
					 输出电压  | 
				
					 VOH  | 
				
					 VCC-0.4V Min.  | 
				
					 
  | 
			
| 
					 VOL  | 
				
					 0.4 V Max.  | 
				
					 
  | 
			|
| 
					 输出负载条件  | 
				
					 L_CMOS  | 
				
					 15 pF Max.  | 
				
					 
  | 
			
| 
					 输入电压  | 
				
					 VIH  | 
				
					 80% VCC Max.  | 
				
					 ST 终端  | 
			
| 
					 VIL  | 
				
					 20 % VCC Max.  | 
			||
| 
					 上升/下降时间  | 
				
					 tr / tf  | 
				
					 4 ns Max.  | 
				
					 20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF  | 
			
| 
					 振荡启动时间  | 
				
					 t_str  | 
				
					 3 ms Max.  | 
				
					 t=0 at 90 %  | 
			
| 
					 频率老化  | 
				
					 f_aging  | 
				
					 ±3 × 10-6 / year Max.  | 
				
					 +25 ℃, 初年度,第一年  | 
			
	
 
	
 
	
 
	西铁城晶振使用注意事项
所有产品的共同点
1:抗冲击 
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响. 
2:辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射. 
3:化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品. 
4:粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.) 西铁城晶振,有源晶振,SSX-750P晶振
5:卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用西铁城晶振,贴片晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
6:静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作. 
	
 
	
 
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
		
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工作QQ:857950243
	
		
贸易通:yijindz2014
	
		
座机:0755-27876565
	
		
邮箱:yijindz@163.com
	
		
微信:yijindz,公众号:NDKcrystal
	
		
地址:广东省深圳市宝安区107国道旁甲岸路
	
		
 
	
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