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NDK晶振,贴片晶振,NX8045GB晶振,NX8045GB-10.000000MHZ晶振

频率:4M~40MHZ

尺寸:8.0x4.5mm

贴片石英晶振适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
订购热线:0755-27876565
QQ咨询 点击这里给我发消息 NDK晶振,贴片晶振,NX8045GB晶振,NX8045GB-10.000000MHZ晶振

NDK-1

NDK晶振日本电波工业株式会社作为压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、压电陶瓷谐振器、晶体元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立.

现在我们作为提供电子业必不可少的,在丰富用途被广泛使用的晶体元器件产品以及应用水晶技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合生产厂家,正以企业的继续成长为目标而努力.

日本电波工业株式会社NDK晶振经营范围:晶体谐振器、晶体振荡器等晶体元器件、应用器件、石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,人工水晶及芯片等的晶体相关产品的制造与销售

经营理念:

要认识到作为世界一流厂家的使命和责任,要始终在行业中起带头作用.

日本电波工业株式会社NDK晶振抢先取得社会需求,为客户提供高质量的服务与晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振.

追求使用更方便、更稳定的发振源,创造更高的附加价值.

NDK晶振日本电波工业株式会社不畏失败,向困难挑战,努力培养出能自我开发的人才.

通过工作发扬人格.

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NDK晶振,贴片晶振,NX8045GB晶振,NX8045GB-10.000000MHZ晶振,贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

 石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.yijin-2

NDK晶振规格

单位

NX8045GB晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

4MHZ~40MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40℃~+85℃,

-40°C +150°C

裸存

工作温度

T_use

-40℃~125℃,

-40°C +150°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出标准说明,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

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NX8045GB_8.0_4.5

yijin-4

在使用NDK晶振时应注意以下事项:

以下是石英晶振电路设计匹配问题:

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. (请参阅芯片组的规格)
Rf
为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd
为限流电阻470Ω1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.

一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:

线路连接的电阻(R)与晶体串联
2)从起点到振荡的停止点调整R的值.
3)振荡期间测量R的值.
4)你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +Rr,RR =晶振的阻力.
附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.

如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:

降低外部电容(CdCG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL.
 
采用具有较低电阻(RR)的晶振.
 
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.

当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.NDK晶振,贴片晶振,NX8045GB晶振,NX8045GB-10.000000MHZ晶振

1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.

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YJ-6

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