石英贴片晶振,SMD振荡器,FCXO-06D晶振

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大河晶振,32.768晶振,FCXO-06D晶振

频率：32.768KHZ

尺寸：2.0×1.6×0.8mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-27876565

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大河晶振科技有限公司是日本リバーエレテック株式会社（RIVER ELETEC CORPORATION）的附属公司,负责RIVER晶振,时钟晶体,压电石英晶体,有源晶体、压电陶瓷谐振器、表晶32.768K音叉晶振等器件在整个中国大陆地区的市场营销活动.
RIVER ELETEC是以生产晶体、晶振,石英晶振,有源晶振,压控晶振为主的电子元器件厂家.尤其在SMD型（表贴型）小型水晶元器件方面一直处于行业领先地位,积累了许多独特的技术,赢得了“小型元器件找RIVER”的信誉.
大河晶振自1949年生产晶振以来,公司一贯重视开发具有独特性能的石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器元器件,经过60多年的发展,RIVER ELETEC现已成为一个以研发和生产晶振为核心业务的日本上市公司,公司产品以不断追求“小型化、高性能、高品质 ”为目标,服务于手机,IT,数码,汽车等多个领域,拥有稳定的国内外客户群体.
大河晶振以提高用户满意度为目标,不断推进集团整体业务的发展.让用户满意,就是让使用装有本公司产品的手机、数码相机等电子设备的广大用户满意.我们深知这一点,因而更加努力向目标迈进.由于小型水晶元器件在信息通信中是必不可少的部件,因此上述理念已深深植入于本公司每个员工的心中.

晶振环保理念：
大河晶振以“遵纪守法”、“零排放”和“削减废弃物”为基本方针进行废弃物管理.
大河晶振为了削减事业活动中排放的碳排放总量,提出了防止地球变暖的方针,为了达成目标,组织起防止地球变暖委员会,包括从产品与生产设备的设计、开发阶段到生产工序的削减对策在内,由大河集团整体持续不断地推进全公司上下有组织的活动.
随着事业的成长,碳排放呈现增加的趋势,但是大河将继续推进由防止地球变暖特别委员会开展的活动,作为活动主体的事业所,通过横向开展改进能源效率的措施、与积极实施性价比较高的节能措施,为削减大河集团整体的碳排放总量而努力.
大河石英晶振符合 ISO 9001和ISO 14001认证,大河严格遵守质量和环保性能的需求.随着数字网络在全球范围内的普及,有源晶振元件将履行更为关键的作用.我们将着手解决发展下一代有价值的部件的挑战.我们仍然致力于为我们的股东,企业合作伙伴,社区和员工更大的利益相关者的满意度.通过企业管理,值得普遍尊重,我们努力实现可持续经营,丰富社会.
大河晶振深入贯彻落实科学发展观,牢固树立安全发展理念,强化责任,狠抓落实,加强防范,坚决遏制重特大事故发生.

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大河晶振,32.768晶振,FCXO-06D晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）.使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.

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大河晶振项目	符号	FCXO-06D晶振规格	条件
输出频率范围	f₀	32.768KHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.vc-tcxo.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年