ECS晶振,石英晶振,UM-1晶振,UM-5晶振,UM-4晶振
频率:10M~90MHZ
尺寸:7.8x3.1mm
自1980年ECS Inc.晶振集团成立以来,在国际范围内进行了近35年的业务,自成立以来已超过30亿的频率控制组件,致力于为世界提供最先进的创新频率控制技术.ECS公司坚持以创新为中心的企业文化,旨在促进和发展每一个无价值的伙伴关系的创造力,使我们能够最大限度地满足不断变化的全球电子市场的需求.
ECS Inc.晶振集团成为市场领导者提供创新、先进的压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体频率控制组件解决方案到电信、工业、公用事业、导航、汽车、电子、航空航天和医疗与一流的制造行业的基于石英晶体/过滤器,时钟振荡器、陶瓷谐振器/过滤器和其他基于压电的产品.ECS inc .以迅速扩大的市场部门的多元化产品基础,热情关注客户和市场趋势,调动企业的力量,为世界各地的客户提供一贯的卓越服务.
•工业应用例如监控、过程控制、RFID、库存跟踪、自动售货监控、数据链接、条形码阅读设备
•商业应用程序,如门播音员、照明和水控制、安全与访问系统、门控、远程激活、记分牌、订购和寻呼系统
•汽车应用例如远程无钥匙入口和轮胎压力监测
•消费者产品,如电子玩具、家庭安全、门和车库门、intercoms、气象站和灌溉控制器
•医疗产品,如病人呼叫和监控系统、残疾人辅助设备、远程病人数据记录和实时无线监控设备.
•网络、存储、4G BTS、女性细胞、视频、Sonet / SDH、服务器、电信和工业监控系统、
ECS Inc集团拥有顶尖人才和技术,以及创新的产品开发理念,使其能够解决复杂的客户问题.石英晶振,贴片晶振,有源晶振,压电水晶的批量生产在日本、中国、台湾和韩国的世界级认证的制造设施.内部检测和测试确保所有产品达到或超过ECS公司的质量保证标准.这些制造地点拥有最严格的质量管理认证,开始于ISO 9001 / 2008、同位素的ISO14001和AECQ产品的国际组织.
ECS Inc晶振有大约100家联合销售办事处和遍布全球15个国家的合作伙伴.我们有世界级的市场营销、销售、分销、工程和客户服务团队,他们每天都参与一个全球性的技术网络,他们的焦点仅仅是为客户提供最好的解决方案.
ECS Inc.晶振集团与世界各地的组织合作,几乎每一个行业,以及每一个规模,从初创企业到全球财富500强组织.所使用到的晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,有源晶振压控晶振等元件遍布各行各业.
ECS晶振,石英晶振,UM-1晶振,UM-5晶振,UM-4晶振,插件晶体具有一致性良好,频率稳定度高,耐抗震强,每批次出厂均采用24小时老化测试,产品精度分为以下几种±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根据客户需求特殊分为+偏差,或者-偏差,产品使用温度高温可达到+85°低温可达到-40℃,产品被广泛应用于比较高端的汽车电子产品,民用产品有家用电器,智能笔记本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等产品.
石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.
ECSInc晶振规格 |
单位 |
UM-1晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
10MHZ~90MHZ |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
|
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year
Max. |
+25°C,第一年 |
ECSInc晶振规格 |
单位 |
UM-4晶振,UM-5晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
30MHZ~90MHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用ECS晶振时应注意以下事项:
以下是石英晶振电路设计匹配问题:
一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. (请参阅芯片组的规格)
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.
一个稳定的石英晶振振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:
线路连接的电阻(R)与晶体串联
(2)从起点到振荡的停止点调整R的值.
(3)振荡期间测量R的值.
(4)你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.
如果ECS晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:
降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL).
采用具有较低电阻(RR)的晶振.
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.
当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.ECS晶振,石英晶振,UM-1晶振,UM-5晶振,UM-4晶振
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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