ECS晶振,贴片晶振,ECX-32晶振,ECX-33Q晶振,ECS-160-20-33-TR晶振
频率:12M~50MHZ
尺寸:3.2x2.5mm
	
 
ECS Inc晶振有大约100家联合销售办事处和遍布全球15个国家的合作伙伴.我们有世界级的市场营销、销售、分销、工程和客户服务团队,他们每天都参与一个全球性的技术网络,他们的焦点仅仅是为客户提供最好的解决方案.
自1980年ECS晶振集团成立以来,在国际范围内进行了近35年的业务,自成立以来已超过30亿的频率控制组件,致力于为世界提供最先进的创新频率控制技术.ECS公司坚持以创新为中心的企业文化,旨在促进和发展每一个无价值的伙伴关系的创造力,使我们能够最大限度地满足不断变化的全球电子市场的需求.ECS Inc.晶振集团与世界各地的组织合作,几乎每一个行业,以及每一个规模,从初创企业到全球财富500强组织.所使用到的晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,有源晶振压控晶振等元件遍布各行各业.
ECS Inc.晶振集团成为市场领导者提供创新、先进的压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体频率控制组件解决方案到电信、工业、公用事业、导航、汽车、电子、航空航天和医疗与一流的制造行业的基于石英晶体/过滤器,时钟振荡器、陶瓷谐振器/过滤器和其他基于压电的产品.ECS inc .以迅速扩大的市场部门的多元化产品基础,热情关注客户和市场趋势,调动企业的力量,为世界各地的客户提供一贯的卓越服务.
•工业应用例如监控、过程控制、RFID、库存跟踪、自动售货监控、数据链接、条形码阅读设备
•商业应用程序,如门播音员、照明和水控制、安全与访问系统、门控、远程激活、记分牌、订购和寻呼系统
•汽车应用例如远程无钥匙入口和轮胎压力监测
•消费者产品,如电子玩具、家庭安全、门和车库门、intercoms、气象站和灌溉控制器
•医疗产品,如病人呼叫和监控系统、残疾人辅助设备、远程病人数据记录和实时无线监控设备.
•网络、存储、4G BTS、女性细胞、视频、Sonet / SDH、服务器、电信和工业监控系统、
ECS Inc集团拥有顶尖人才和技术,以及创新的产品开发理念,使其能够解决复杂的客户问题.石英晶振,贴片晶振,有源晶振,压电水晶的批量生产在日本、中国、台湾和韩国的世界级认证的制造设施.内部检测和测试确保所有产品达到或超过ECS公司的质量保证标准.这些制造地点拥有最严格的质量管理认证,开始于ISO 9001 / 2008、同位素的ISO14001和AECQ产品的国际组织.
	
 
ECS晶振,贴片晶振,ECX-32晶振,ECX-33Q晶振,小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
	 石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,美国ECS石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英贴片晶振晶片的设计:石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.002mm内,由于贴片晶振晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动,面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强,从而造成如若石英晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工作,从而导致产品在客户端不能正常使用,晶振的研发及生产超小型石英晶振完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题,公司在此方面通过理论与实践相结合,模拟出一整套此石英晶振晶片设计的计算机程序,该程序晶振的晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果.
	
 
| 
			 
				ECSInc晶振规格  | 
		
			 单位  | 
		
			 
				ECX-32晶振频率范围  | 
		
			 
				石英晶振基本条件  | 
	|
| 
			 
				标准频率  | 
		
			 
				f_nom  | 
		
			 
				120MHZ~50MHZ  | 
		
			 
				标准频率  | 
	|
| 
			 
				储存温度  | 
		
			 
				T_stg  | 
		
			 
				-40°C ~ +125°C  | 
		
			 
				裸存  | 
	|
| 
			 
				工作温度  | 
		
			 
				T_use  | 
		
			 
				-20°C ~ +70°C  | 
		
			 
				标准温度  | 
	|
| 
			 
				激励功率  | 
		
			 
				DL  | 
		
			 
				200μW Max.  | 
		
			 
				推荐:1μW ~ 100μW  | 
	|
| 
			 
				频率公差  | 
		
			 
				f_— l  | 
		
			 
				±50 × 10-6 (标准),  | 
		
			 
				+25°C 对于超出标准的规格说明,  | 
	|
| 
			 
				频率温度特征  | 
		
			 
				f_tem  | 
		
			 
				±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C  | 
		
			 
				超出标准的规格请联系我们.  | 
	|
| 
			 
				负载电容  | 
		
			 
				CL  | 
		
			 
				8pF ,10PF,12PF,20PF  | 
		
			 
				不同负载电容要求,请联系我们.  | 
	|
| 
			 
				串联电阻(ESR)  | 
		
			 
				R1  | 
		
			 
				如下表所示  | 
		
			 
				-40°C —  +85°C, DL = 100μW  | 
	|
| 
			 
				频率老化  | 
		
			 
				f_age  | 
		
			 
				±5 × 10-6 / year
  Max.  | 
		
			 
				+25°C,第一年  | 
	|
| 
						 ECSInc晶振规格  | 
					
						 单位  | 
					
						 EC X-33Q晶振频率范围  | 
					
						 石英晶振基本条件  | 
				|
| 
						 标准频率  | 
					
						 f_nom  | 
					
						 12MHZ~40MHZ  | 
					
						 标准频率  | 
				|
| 
						 储存温度  | 
					
						 T_stg  | 
					
						 -55°C ~ +125°C  | 
					
						 裸存  | 
				|
| 
						 工作温度  | 
					
						 T_use  | 
					
						 -55°C ~ +125°C  | 
					
						 标准温度  | 
				|
| 
						 激励功率  | 
					
						 DL  | 
					
						 200μW Max.  | 
					
						 推荐:1μW ~ 100μW  | 
				|
| 
						 频率公差  | 
					
						 f_— l  | 
					
						 
							±50 × 10-6 (标准),  | 
					
						 
							+25°C 对于超出标准的规格说明,  | 
				|
| 
						 频率温度特征  | 
					
						 f_tem  | 
					
						 ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C  | 
					
						 超出标准的规格请联系我们.  | 
				|
| 
						 负载电容  | 
					
						 CL  | 
					
						 8pF ,10PF,12PF,20PF  | 
					
						 不同负载电容要求,请联系我们.  | 
				|
| 
						 串联电阻(ESR)  | 
					
						 R1  | 
					
						 如下表所示  | 
					
						 -40°C — +85°C, DL = 100μW  | 
				|
| 
						 频率老化  | 
					
						 f_age  | 
					
						 ±5 × 10-6 / year Max.  | 
					
						 +25°C,第一年  | 
				|
		
 
	
ECX-32晶振尺寸图:
		
 
	
ECX-33Q晶振尺寸图:
		
 
	
		
在使用ECS晶振时应注意以下事项: 
	
以下是石英晶振电路设计匹配问题:
		一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. (请参阅芯片组的规格)
 Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.ECS晶振,贴片晶振,ECX-32晶振,ECX-33Q晶振
 Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路. 
	
		一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明: 
	
		
 
	
		
		线路连接的电阻(R)与晶体串联
(2)从起点到振荡的停止点调整R的值.
(3)振荡期间测量R的值.
(4)你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值. 
	
如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:
		降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振,晶体滤波器具有较低负载电容(CL).
  采用具有较低电阻(RR)的晶振.
  使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出. 
	
当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系亿金电子晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.
	
 
	
 
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