ECS晶振,32.768K晶振,ECX-12晶振,ECX-12L晶振
频率:32.768KHZ
尺寸:2.0x1.2mm
ECS Inc.晶振集团是一家私人控股的全球领先企业,在维护全球日益增长的高可靠性创新频率控制设备需求方面处于领先地位.一流的研究公司和电子设备设计者,是全球领先的15家开发和生产创新频率控制解决方案的石英晶体,贴片晶振,石英晶体振荡器制造商,超过600家.ECS Inc晶振支持劳动力在香港、韩国、韩国、烟台、中国和美国的生产设施和物流中心超过225家.
ECS Inc晶振有大约100家联合销售办事处和遍布全球15个国家的合作伙伴.我们有世界级的市场营销、销售、分销、工程和客户服务团队,他们每天都参与一个全球性的技术网络,他们的焦点仅仅是为客户提供最好的解决方案.
ECS晶振,32.768K晶振,ECX-12晶振,ECX-12L晶振,随着科技日益高速的发展,电子元器件体积也越来越小,智能手机,平板电脑等无线通讯器材,也随着小型化,就在苹果2016年推出智能手环以来,各项智能手环通讯产品在国内陆陆续续的推出,因智能手环本身重量轻,体积小等原因,所以内部所使用的电子零件均是目前最新最小的产品.那么晶振又有那几款会使用到智能手环里面呢?32.768K晶振目前SMD品种有几款产品在智能手环中发挥最大的作用呢?以下几款对比产品:爱普生晶振品牌FC-12M,精工晶体的品牌SC-20S精工晶振,西铁城晶振的CM-212H,日本大真空晶体品牌DST210A等以上几款32.768K均是目前市场上最为常用的小尺寸贴片晶振,外观尺寸2.0*1.2*0.5mm体积还不足一粒米大小.
石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
ECS晶振规格 |
单位 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
ECS晶振规格 |
单位 |
ECX-12L晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
ECX-12晶振尺寸图
ECX-12L晶振尺寸图
在使用ECS晶振时应注意以下事项:
产品设计人员在设计振荡回路的注意事项
1. 驱动能力
驱动能力说明石英晶体振荡器所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,ECS晶振,32.768K晶振,ECX-12晶振,ECX-12L晶振
Re表示石英晶振的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2.
2. 振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡.为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻.
3. 负载电容
如果振荡电路中晶振的负载电容不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示.电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS.
其中CS表示电路的杂散电容.
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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