ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振

当前位置：首页 » 欧美晶振 » ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振

prevnext

ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振

频率：24 MHz

尺寸：2.50mm x 2.00mm

ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振,ECS-2033-240-BN-TR3凭借高密度封装,24MHz频率及高稳定性,全面适配多领域高密度设备,在消费电子领域,可嵌入智能手机射频模块,智能手表主控电路,节省PCB空间,24MHz频率支撑蓝牙晶振,WiFi等高速无线通信的时序需求,在工业自动化领域,适配高密度PLC模块,智能传感器阵列,耐受复杂电磁环境,保障多传感器数据采集的时序同步,避免数据错乱,在医疗电子领域,适用于便携医疗监测设备的高密度主板,满足设备小型化要求,同时高稳定性可保障医疗数据采集的准确性,是一款跨领域高密度场景的通用型振荡器.

订购热线：0755-27876565

ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振

作为ECS品牌ECS-2033系列的核心产品,ECS-2033-240-BN-TR3依托品牌在高密度频率控制领域的技术积累,从源头保障品质,采用高纯度石英晶体核心材料,经过精密切割与高密度场景专项校准工艺,确保频率基准在复杂环境下的长期稳定性,出厂前每颗产品均经过高温,低温,电磁干扰,电压波动等多维度测试,尤其针对高密度电路场景进行模拟验证,不良率控制在极低水平,降低高密度设备后期因时钟故障导致的维护成本.对于高密度设备研发企业,美国ECSCrystal可提供定制化布局建议与技术支持,协助解决高密度PCB中时钟信号的布线问题,缩短研发周期,对于批量生产企业,其稳定的供货周期,标准化封装与高良率特性,能保障高密度产品的大规模量产效率,有效平衡集成度,性能与成本,是高密度电路时钟方案的优选产品.

ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振

原厂型号 Originalmodel：	ECS-2033-240-BN-TR3	品牌brand：	ECS晶振
Manufacturer品牌	ECS进口有源晶振	OperatingTemperature温度	-40°C ~ 85°C
Series型号	ECS-2033	Current-Supply(Max)	13mA
Type类型	XO (Standard)	PackageHeight高度	0.90mm
Frequency频率	24 MHz	Termination 脚位	4 pad
输出方式 Output：	CMOS	PackageType 封装类型	4-SMD
Voltage-Supply电压	3.3V	Packaging 包装	TapeandReel
FrequencyStability频率稳定度	±50ppm	安装方式 Installation：	Surfacemount
Size/Dimension尺寸	2.50mm x 2.00mm	最小包装数MPQ：	3000

ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振

ECS-2333-160-BN-TR	ECS晶振	ECS-2333	XO	16 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2033-250-BN	ECS晶振	ECS-2033	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2333-500-BN-TR	ECS晶振	ECS-2333	XO	50 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2018-270-BN	ECS晶振	ECS-2018	XO	27 MHz	HCMOS	1.8V	±50ppm
ECS-2018-240-BN-TR3	ECS晶振	ECS-2018	XO	24 MHz	HCMOS	1.8V	±50ppm
ECS-2033-500-BN	ECS晶振	ECS-2033	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3963-250-BN-TR	ECS晶振	ECS-3963-BN	XO	25 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2033-240-BN	ECS晶振	ECS-2033	XO	24 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2033-120-BN	ECS晶振	ECS-2033	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-327MVATX-2-CN-TR3	ECS晶振	ECS-327MVATX	XO	32.768 kHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-327MVATX-3-CN-TR	ECS晶振	ECS-327MVATX	XO	32.768 kHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3225MV-260-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	26 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±25ppm
ECS-3225MV-240-BN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	24 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±50ppm
ECS-2018-250-BN	ECS晶振	ECS-2018	XO	25 MHz	HCMOS	1.8V	±50ppm
ECS-3225MV-500-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	50 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±25ppm
ECS-3225MV-120-BN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	12 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±50ppm
ECS-3225MV-250-CN-TR3	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.8V ~ 3.3V	±25ppm
ECS-3225MV-160-BN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	16 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±50ppm
ECS-3225MV-500-BN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	50 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±50ppm
ECS-3225MV-160-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	16 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±25ppm
ECS-2520MV-160-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	16 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MV-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MV-250-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MV-240-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	24 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MV-120-BL-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	12 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-5032MV-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MV-480-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	48 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MV-080-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	8 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2033-240-BN-TR3	ECS晶振	ECS-2033	XO	24 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2033-250-BN-TR3	ECS晶振	ECS-2033	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2520MV-500-BL-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	50 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MV-480-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	48 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3225MV-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±25ppm
ECS-5032MV-240-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	24 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3953M-480-B-TR	ECS晶振	ECS-3953M	XO	48 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-5032MV-200-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	20 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MVQ-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVQ	XO	25 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-5032MV-500-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	50 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3963-040-BN-TR	ECS晶振	ECS-3963-BN	XO	4 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2520MVLC-075-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	7.5728 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MVLC-081.92-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	8.192 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MVLC-120-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	12 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MVLC-271.2-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	27.12 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MVLC-049-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	4.9152 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MVLC-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	25 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3951M-160-B-TR	ECS晶振	ECS-3951M	XO	16 MHz	HCMOS	5V	±50ppm
ECS-5032MV-122.8-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	12.288 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-327MVATX-7-CN-TR	ECS晶振	ECS-327MVATX	XO	32.768 kHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-5032MV-1250-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	125 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2018-143-BN	ECS晶振	ECS-2018	XO	14.31818 MHz	HCMOS	1.8V	±50ppm
ECS-327ATQMV-AS-TR	ECS晶振	ECS-327ATQMV	XO	32.768 kHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	±100ppm
ECS-3963-120-BN-TR	ECS晶振	ECS-3963-BN	XO	12 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3225MVQ-1000-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MVQ	XO	100 MHz	HCMOS	1.7V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3953M-250-B-TR	ECS晶振	ECS-3953M	XO	25 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3963-250-AU-TR	ECS晶振	ECS-3963	XO	25 MHz	HCMOS	3.3V	±100ppm
ECS-3953M-500-BN-TR	ECS晶振	ECS-3953M-BN	XO	50 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3951M-160-BN-TR	ECS晶振	ECS-3951M-BN	XO	16 MHz	HCMOS	5V	±50ppm
ECS-3953M-250-BN-TR	ECS晶振	ECS-3953M-BN	XO	25 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3953M-120-BN-TR	ECS晶振	ECS-3953M-BN	XO	12 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3953M-018-BN-TR	ECS晶振	ECS-3953M-BN	XO	1.8432 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm

yijin-5

YJ-6

深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

mphone 联系人黄娜：18924600166

工作QQ:857950243

myt 贸易通：yijindz2014

tel 座机：0755-27876565

email 邮箱:yijindz@163.com

inter 网址：http://www.yijindz.com

mwx 微信：yijindz，公众号：NDKcrystal

home 地址：广东省深圳市宝安区107国道旁甲岸路

wxewm

ECS-2033-240-BN-TR3 ECS-2033振荡器高密度晶振

跟此产品相关的产品 / Related Products

: ASTX-13-C-19.200MHZ-I05-T,VC-TCXO振荡器,Abracon艾博康晶振; ASTX-13-C-19.200MHZ-I05-T,VC-TCXO振荡器,Abracon艾博康晶振,以19.200MHz核心频率为核心竞争力,兼具电压控制与温度补偿双重优势.产品在宽温范围内保持极高的频率一致性,同时通过外部电压信号可实现灵活的频率微调,适配不同系统的时序校准需求.超微型2.0×1.6×0.8mm封装设计,搭配SMD/SMT端接方式,便于自动化贴装生产,大幅提升终端产品的量产效率,是消费电子与工业控制领域的优选时序器件.

: ATX-13-F-38.400MHz-F05-T,Abracon温补晶振,2016有源贴片晶振; ATX-13-F-38.400MHz-F05-T,Abracon温补晶振,2016有源贴片晶振封装大幅节省PCB空间,支持表面贴装工艺适配自动化量产,核心参数表现优异,频率公差±0.5ppm,能有效保障通信设备的时序同步精度.广泛应用于移动通讯,工业控制,GPS导航等对频率稳定性要求严苛的场景,密封陶瓷封装设计提升抗干扰能力与使用寿命.

: LV7745DEV-125.0MHZ,Pletronics差分晶振,7050金属封装晶振; LV7745DEV-125.0MHZ,Pletronics差分晶振,7050金属封装晶振的精密工艺,实现-40℃至+85℃工业级宽温稳定运行.125MHz固定频率输出抖动极低,差分信号传输模式显著降低电磁辐射(EMI),轻松满足FCC,CE等电磁兼容性认证要求.6脚SMD贴片设计便于自动化贴装,可直接与各类高速芯片无缝兼容,为数据中心服务器,网络交换机等设备提供可靠的时序同步保障.