ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振

当前位置：首页 » 欧美晶振 » ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振

prevnext

ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振

频率：24 MHz

尺寸：2.50mm x 2.00mm

ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振,ECS-2033-240-BN-TR3凭借高密度封装,24MHz频率及高稳定性,全面适配多领域高密度设备,在消费电子领域,可嵌入智能手机射频模块,智能手表主控电路,节省PCB空间,24MHz频率支撑蓝牙晶振,WiFi等高速无线通信的时序需求,在工业自动化领域,适配高密度PLC模块,智能传感器阵列,耐受复杂电磁环境,保障多传感器数据采集的时序同步,避免数据错乱,在医疗电子领域,适用于便携医疗监测设备的高密度主板,满足设备小型化要求,同时高稳定性可保障医疗数据采集的准确性,是一款跨领域高密度场景的通用型振荡器.

订购热线：0755-27876565

ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振

作为ECS品牌ECS-2033系列的核心产品,ECS-2033-240-BN-TR3依托品牌在高密度频率控制领域的技术积累,从源头保障品质,采用高纯度石英晶体核心材料,经过精密切割与高密度场景专项校准工艺,确保频率基准在复杂环境下的长期稳定性,出厂前每颗产品均经过高温,低温,电磁干扰,电压波动等多维度测试,尤其针对高密度电路场景进行模拟验证,不良率控制在极低水平,降低高密度设备后期因时钟故障导致的维护成本.对于高密度设备研发企业,美国ECSCrystal可提供定制化布局建议与技术支持,协助解决高密度PCB中时钟信号的布线问题,缩短研发周期,对于批量生产企业,其稳定的供货周期,标准化封装与高良率特性,能保障高密度产品的大规模量产效率,有效平衡集成度,性能与成本,是高密度电路时钟方案的优选产品.

ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振

原厂型号 Originalmodel：	ECS-2033-240-BN-TR3	品牌brand：	ECS晶振
Manufacturer品牌	ECS进口有源晶振	OperatingTemperature温度	-40°C ~ 85°C
Series型号	ECS-2033	Current-Supply(Max)	13mA
Type类型	XO (Standard)	PackageHeight高度	0.90mm
Frequency频率	24 MHz	Termination 脚位	4 pad
输出方式 Output：	CMOS	PackageType 封装类型	4-SMD
Voltage-Supply电压	3.3V	Packaging 包装	TapeandReel
FrequencyStability频率稳定度	±50ppm	安装方式 Installation：	Surfacemount
Size/Dimension尺寸	2.50mm x 2.00mm	最小包装数MPQ：	3000

ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振荡器,高密度晶振

ECS-2333-160-BN-TR	ECS晶振	ECS-2333	XO	16 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2033-250-BN	ECS晶振	ECS-2033	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2333-500-BN-TR	ECS晶振	ECS-2333	XO	50 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2018-270-BN	ECS晶振	ECS-2018	XO	27 MHz	HCMOS	1.8V	±50ppm
ECS-2018-240-BN-TR3	ECS晶振	ECS-2018	XO	24 MHz	HCMOS	1.8V	±50ppm
ECS-2033-500-BN	ECS晶振	ECS-2033	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3963-250-BN-TR	ECS晶振	ECS-3963-BN	XO	25 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2033-240-BN	ECS晶振	ECS-2033	XO	24 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2033-120-BN	ECS晶振	ECS-2033	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-327MVATX-2-CN-TR3	ECS晶振	ECS-327MVATX	XO	32.768 kHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-327MVATX-3-CN-TR	ECS晶振	ECS-327MVATX	XO	32.768 kHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3225MV-260-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	26 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±25ppm
ECS-3225MV-240-BN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	24 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±50ppm
ECS-2018-250-BN	ECS晶振	ECS-2018	XO	25 MHz	HCMOS	1.8V	±50ppm
ECS-3225MV-500-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	50 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±25ppm
ECS-3225MV-120-BN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	12 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±50ppm
ECS-3225MV-250-CN-TR3	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.8V ~ 3.3V	±25ppm
ECS-3225MV-160-BN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	16 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±50ppm
ECS-3225MV-500-BN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	50 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±50ppm
ECS-3225MV-160-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	16 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±25ppm
ECS-2520MV-160-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	16 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MV-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MV-250-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MV-240-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	24 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MV-120-BL-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	12 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-5032MV-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MV-480-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	48 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MV-080-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	8 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2033-240-BN-TR3	ECS晶振	ECS-2033	XO	24 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2033-250-BN-TR3	ECS晶振	ECS-2033	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2520MV-500-BL-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	50 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MV-480-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	48 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3225MV-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±25ppm
ECS-5032MV-240-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	24 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3953M-480-B-TR	ECS晶振	ECS-3953M	XO	48 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-5032MV-200-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	20 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MVQ-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVQ	XO	25 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-5032MV-500-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	50 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3963-040-BN-TR	ECS晶振	ECS-3963-BN	XO	4 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2520MVLC-075-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	7.5728 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MVLC-081.92-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	8.192 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MVLC-120-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	12 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MVLC-271.2-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	27.12 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MVLC-049-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	4.9152 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MVLC-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	25 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3951M-160-B-TR	ECS晶振	ECS-3951M	XO	16 MHz	HCMOS	5V	±50ppm
ECS-5032MV-122.8-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	12.288 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-327MVATX-7-CN-TR	ECS晶振	ECS-327MVATX	XO	32.768 kHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-5032MV-1250-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	125 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2018-143-BN	ECS晶振	ECS-2018	XO	14.31818 MHz	HCMOS	1.8V	±50ppm
ECS-327ATQMV-AS-TR	ECS晶振	ECS-327ATQMV	XO	32.768 kHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	±100ppm
ECS-3963-120-BN-TR	ECS晶振	ECS-3963-BN	XO	12 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3225MVQ-1000-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MVQ	XO	100 MHz	HCMOS	1.7V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3953M-250-B-TR	ECS晶振	ECS-3953M	XO	25 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3963-250-AU-TR	ECS晶振	ECS-3963	XO	25 MHz	HCMOS	3.3V	±100ppm
ECS-3953M-500-BN-TR	ECS晶振	ECS-3953M-BN	XO	50 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3951M-160-BN-TR	ECS晶振	ECS-3951M-BN	XO	16 MHz	HCMOS	5V	±50ppm
ECS-3953M-250-BN-TR	ECS晶振	ECS-3953M-BN	XO	25 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3953M-120-BN-TR	ECS晶振	ECS-3953M-BN	XO	12 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3953M-018-BN-TR	ECS晶振	ECS-3953M-BN	XO	1.8432 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm

yijin-5

YJ-6

深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

mphone 联系人黄娜：18924600166

工作QQ:857950243

myt 贸易通：yijindz2014

tel 座机：0755-27876565

email 邮箱:yijindz@163.com

inter 网址：http://www.yijindz.com

mwx 微信：yijindz，公众号：NDKcrystal

home 地址：广东省深圳市宝安区107国道旁甲岸路

wxewm

ECS-2033-240-BN-TR3 ECS-2033振荡器高密度晶振

跟此产品相关的产品 / Related Products

: ABS06-32.768KHZ-9-1-T,2012小型晶振,艾博康无源晶振; ABS06-32.768KHZ-9-1-T,2012小型晶振,艾博康无源晶振,该晶振采用2012贴片晶振封装(2.0mm×1.2mm),属于超小型化封装规格,能最大限度节省PCB板空间,完美适配智能手机,智能穿戴设备,小型IoT模块等"轻薄化,高密度布局"的电子产品.同时,2012封装支持SMT(表面贴装技术)自动化批量焊接,焊接精度高,焊点稳定性强,可减少人工组装误差,提升生产效率,且紧凑的封装结构能增强晶振的抗振动性能,在便携式设备日常携带,移动使用场景中,有效避免因振动导致的接触不良,保障设备稳定运行.

: X1E0000210128,移动设备晶振,日本爱普生晶振; X1E0000210128,移动设备晶振,日本爱普生晶振,依托日本爱普生在频率控制领域的百年技术积淀,X1E0000210128从研发到生产均遵循严苛的品质管控体系.内部采用爱普生自研的高纯度人工石英晶片,通过精密光刻与镀膜工艺,确保晶体振荡的一致性与长期稳定性,频率漂移率远低于行业平均水平,外部封装选用耐冲击,抗老化的复合陶瓷材质,可承受移动设备日常跌落,挤压等机械应力,同时具备出色的耐温性,适应不同环境下的使用需求.

: SM12110E3-20.00000-T&R,SUNNY品牌晶振,SX-7晶振; SM12110E3-20.00000-T&R,SUNNY品牌晶振,SX-7晶振,韩国进口SUNNY晶振品牌在频率控制元件领域的技术积淀,SM12110E3-20.00000-T&R从研发到生产均遵循国际高标准品质管控体系.内部采用高纯度石英晶片,经过精密激光切割与真空镀膜工艺处理,确保晶体振荡的稳定性与一致性,有效降低长期使用中的频率漂移率,外部封装选用耐高温,抗腐蚀的陶瓷材质,避免焊接高温对内部元件造成损伤.