Abracon晶振,圆柱晶振,AB308晶振,AB308-8.000MHZ晶振
频率:4M~70MHZ
尺寸:8.0x3.0mm
Abracon llc晶振成立于1992年8月5日,其愿景是成为全球顶级制造商,并拥有非并行应用工程和销售支持.为了实现这一愿景,Abracon获得了iso9001 - 2008质量认证,在北美和海外的生产设施和技术合作伙伴中选择了股权投资,建立了与即将到来的技术公司的渠道伙伴关系,并在其加州的位置设立了一个国家的艺术工程实验室.
2013年11月,Abracon晶振集团在德克萨斯州奥斯汀建立了一个新的中西部订单执行中心.这种扩张是必要的,因为Abracon晶振的快速增长和更好的服务于我们的东海岸和欧洲的客户.
Abracon llc晶振集团供应石英晶体,贴片晶振,有源晶振,压电晶振,石英晶体振荡器等.广泛用于与商业、工业、消费者和选择的军事应用等.
Abracon llc晶振深入贯彻落实科学发展观,牢固树立安全发展理念,强化责任,狠抓落实,加强防范,坚决遏制重特大事故发生.
要毫不松懈地抓好安全环保工作,坚持把“环保优先、安全第一、质量至上、以人为本”的理念落实到生产建设全过程.
带动各项安全环保工作规范化、程序化、科学化管理,加快实现安全环保形势持续好转、根本好转的工作思路.
Abracon晶振,圆柱晶振,AB308晶振,AB308-8.000MHZ晶振,圆柱晶体具有一致性良好,频率稳定度高,耐抗震强,每批次出厂均采用24小时老化测试,产品精度分为以下几种±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根据客户需求特殊分为+偏差,或者-偏差,产品使用温度高温可达到+70°低温可达到-40°产品被广泛应用到比较高端的汽车电子产品,民用产品有家用电器,智能笔记本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等产品.
石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
Abracon晶振规格 |
单位 |
AB308晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用Abracon晶振时应注意以下事项:
插件型晶振安装注意事项:
安装时的注意事项导脚型晶振• 构造圆柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (参阅图 1 和图 2).Abracon晶振,圆柱晶振,AB308晶振,AB308-8.000MHZ晶振
• 修改插件晶振弯曲导脚的方法(1) 要修改弯曲的导脚时,以及要取出石英晶振等情况下不能强制拔出导脚,如果强制地拔出导脚,会引起玻璃的破裂,而导致壳内真空浓度的下降,有可能促使晶振特性的恶化以及晶振芯片的破损(参阅图 3).(2) 要修改弯曲的导脚时,要压住外壳基侧的导脚,且从上下方压住弯曲的部位,再进行修改(参阅图 4).
弯曲导脚的方法(1) 将导脚弯曲之后并进行焊接时,导脚上要留下离外壳0.5mm的直线部位.如果不留出导脚的直线部位而将导脚弯曲,有可能导致玻璃的破碎 (参阅图5 和图6).(2) 在导脚焊接完毕之后再将导脚弯曲时,务必请留出大于外壳直径长度的空闲部分 (参阅图7).
如果直接在外壳部位焊接,会导致壳内真空浓度的下降,使晶振特性恶化以及晶振芯片的破损.应注意将晶振平放时,不要使之与导脚相碰撞,请放长从外壳部位到线路板为止的导脚长度 (L) ,并使之大于外壳的直径长度(D).
焊接方法焊接部位仅局限于导脚离开玻璃纤部位 1.0mm 以上的部位,并且请不要对外壳进行焊接.另外,如果利用高温或长时间对导脚部位进行加热,会导致晶振特性的恶化以及晶振的破损.因此,请注意对导脚部位的加热温度要控制在 300°C 以下,且加热时间要控制在5秒以内 (外壳的部位的加热温度要控制在150°C以下).
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