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CTS晶振,石英晶体振荡器,658晶振,多输出差分晶振

频率：38M~750MHZ

尺寸：5.0x7.0mm

差分石英晶体振荡器、差分晶振使用于网络路由器、SATA,光纤通信,10G以太网、超速光纤收发器、网络交换机等网络通讯设备中.网络设备对高标准参考时钟的需求尤其突出,要求做为系统性能重要参数的相位抖动具备低抖动特征.使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性.

订购热线：0755-27876565

CTS晶振公司为信息技术和电信市场提供贴片晶振,温补晶振,石英晶体振荡器等多种电子元件.这些可以在宏小区基站发现,小蜂窝基站、卫星通信系统、回程通信的应用,以及无线和有线基础设施.CTS在信息技术和电信市场的创新支持市场部门的发展趋势,如低功耗,更小的形式因素,增加带宽需求和物联网（物联网）.

CTS晶振集团运用ISO14001环境管理系统进行环境管理,尽最大可能减小业务活动对环境造成的负担,并通过业务发展推进环境改善.

CTS晶振遵守所有适用的有关环境、健康和安全的法律和法规以及公司自己的有关环境、工业卫生和安全的方针和承诺.

与我们的员工一起开创并保持一个免于事故的工作场所.重视污染预防,消除偏离程序的行为强调通过员工努力这一最可行的方法持续改进我们经营活动的环境绩效.

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CTS晶振,石英晶体振荡器,658晶振,多输出差分晶振,差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分晶振相位低,低损耗等特点,差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz,特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”电源电压做到2.5V-3.3V之间,工作温度,以及储存温度非常宽,客户实验证明工作温度可以到达低温-50度高温到100度,频率稳定度在±20PPM值,输出电压低抖动晶振能达到1V,起振时间为0秒,随机抖动性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.

石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.

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CTS晶振型号	符号	658晶振
输出规格	-	LVCMOS、LVDS、LVPECL
输出频率范围	fo	38M~750MHZ
电源电压	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
频率公差（含常温偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存温度范围	T_stg	-40~+85℃
运行温度范围	T_use	-10~+70℃ ,-40~+85℃
消耗电流	I_CC	20mA max.
待机时电流（＃1引脚"L"）	I_std	10μA max.
输出负载	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形对称	SYM	45~55% [at outputs cross point]
0电平电压	V_OL	-更多详细参数请联系亿金电子http://www.vc-tcxo.com
1电平电压	V_OH	-
上升时间下降时间	tr, tf	0.4ns max. [20~80% Output-OutputN]
差分输出电压	V_OD1, V_OD2	0.247~0.454V
差分输出误差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
补偿电压	V_OS	1.125~1.375V
补偿电压误差	⊿V_OS	50mV
交叉点电压	Vcr	-
OE端子0电平输入电压	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1电平输入电压	V_IH	V_CC×0.7 min.
输出禁用时间	tPLZ	200ns
输出使能时间	tPZL	2ms
周期抖动（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖动（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
总抖动（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖动	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

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使用CTS晶振时应注意以下事项

运行条件

①电源电压和极性

晶体振荡器应在规定的电源电压和电压范围内工作目录或数据表中给出的公差.电源电压以外的操作规范可能导致晶体振荡器的间歇或完全失效.

极性反接可能会导致设备电气不可逆损坏（死机）和/或机械地（燃烧）.因此,请在确认正确的电压极性之前给有源晶体振荡器设备加电.

②电源电压限制

在任何情况下,请向有源晶体振荡器施加电源电压电平超过绝对最大值,通常最大为7VDC.对于大多数（H）CMOSIC.另请注意,电源电压低于额定电压的70~80％可能会导致电压下降振荡器运行不稳定.

为获得最佳性能和稳定性,振荡器可由单独稳定的电源供电电压轨,以避免数字中通常存在的电源电压噪声干扰电路.

③石英晶体振荡器启动

晶体振荡器由晶体空白和半导体芯片组成,它集成了一个晶体驱动电路和时钟输出驱动级.半导体芯片本身没有包含复杂的复位逻辑或电源电压监控电路,用于控制振荡器输出信号.

为获得最佳系统稳定性,我们建议使用外部电源电压监控在电源电压充足之前,防止后续电路开始工作的电路上电,振荡器输出频率完全稳定.请参考振荡器启动时间,在我们的振荡器数据表中定义.

④旁路电容器

请注意,由于SMD振荡器尺寸较小,因此没有旁路电容内置.我们强烈建议在附近放置一个~0.01μF的外部旁路电容VDC端子/焊盘与GND端子/焊盘的低阻抗连接.旁路电容器能够在输出信号转换时缓冲石英晶体振荡器的动态电源电流,它还可以帮助减少通过电源电压轨的RF传输.

⑤负载电容

低于指定最大值的任何容性负载.负载电容可以连接到振荡器的输出.应保持从振荡器输出到负载（下一个IC）的PCB走线短路以避免额外的杂散电容和输出波形的失真.CTS晶振,石英晶体振荡器,658晶振,多输出差分晶振

⑥电源电流

晶体振荡器的电流消耗取决于实际的负载电容连接到振荡器的输出级.实际容性负载越小,电流消耗越少.如果设计用于30pF负载的振荡器连接到15pF的实际负载,则电流消耗与振荡器的电流消耗大致相同专为15pF设计.

⑦方向（Pin1标记）

对于石英晶体振荡器,引脚1通常由盖子上标记的点和/或倾斜处标识相应的SMD垫.请确保将振荡器正确安装到PCB上取向.错误的方向可能导致反向电源电压极性,这可能导致该单位不可逆转地受损.

⑧PCB布局

我们建议将有源石英晶振,5x7多输出晶体振荡器连接布置在芯片或芯片的短距离处接收器电路的时钟输入.最好避免长迹线和近旁信号迹线会干扰晶体时钟信号.长信号走线引起的不希望的杂散电容和电感会产生很大的影响振荡器单元的输出阻抗应最小化.

⑨建议的焊接脚布局

请注意,我们提供了焊接脚位布局建议供您参考.请使用它们作为设计建议并应用贵公司的设计规则.标识为NC的引脚应保持不连接状态.

⑩工作温度

所有晶体振荡器应在温度限制范围内工作目录或数据表.

⑾晶体振荡器测试和测试电路

示波器探头阻抗应大于1MOhm,探头电容较低.施加到有源晶体振荡器的负载应采用探头电容和测试夹具杂散电容考虑到了.所有引线长度应尽可能短,特别是地线.我们建议使用宽带低电容有源探头来表现振荡器输出信号.

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: 西铁城晶振,贴片晶振,CXS-750V晶振,有源晶振; 超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

: 西铁城晶振,贴片晶振,CSX-750P晶振; 有源晶体振荡器,5070mm有源晶振,小体积7050贴片晶振,外观小型,表面贴片型晶体振荡器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.