CTS晶振,差分晶振,635晶振,637晶振,638晶振
频率:10M~320MHZ
尺寸:5.0x7.0mm
差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围,差分晶振的精度值(PPM)可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0秒,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.
CTS晶振公司自1896年以来,CTS晶振一直是未来的一部分.随着技术的不断进步,我们也一直在与之一起,为满足人们不断变化的需求而设计智能的方法.我们的产品在许多行业都得到了认可,所生产石英晶振,高精度贴片晶振,晶体振荡器的性能、可靠性和工程技术都很出色.我们的客户以我们卓越的、一贯的服务水平和我们与他们合作的能力来评价我们.我们的全球足迹使我们能够为全球市场和大公司服务,并与本地市场中的中小企业合作,从而实现一个智能和无缝的世界.
想象你和我们一起工作.CTS晶振公司,我们理解的好处让人们投资于公司的长期成功,我们致力于创造一个环境,每个人都有机会成功通过他们的贡献.我们的人民相互支持,以提高我们的集体能力,并在我们所做的一切中取得卓越.
我们希望招募最优秀的人才,他们会拥抱合作关系,建立牢固的关系——人们总是对客户真正需要的东西充满好奇.
为什么我们会成功?我们的产品晶振,石英晶体振荡器等设计精良、可靠,并始终如一地兑现承诺.我们认识到,在过去的一百多年里,人们一直在推动我们成为一个充满活力和蓬勃发展的公司.我们的员工塑造了我们产品的多样化,这是我们成功和追求卓越的基石.
我们也非常关心质量:我们的产品质量,服务,和我们的人民.我们正在寻找有才华的人,他们乐于使用他们的知识、才能和技能来帮助CTS创新和成长.我们是一家成长中的公司,为客户提供高品质的贴片晶振,晶体振荡器,专业的技术和支持.
CTS晶振,差分晶振,635晶振,637晶振,638晶振,差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.
CTS晶振型号 |
符号 |
635晶振,637晶振,638晶振 |
输出规格 |
- |
LVDS、LVPECL |
输出频率范围 |
fo |
10~320MHz |
电源电压 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
频率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
保存温度范围 |
T_stg |
-40~+85℃ |
运行温度范围 |
T_use |
-10~+70℃ ,-40~+85℃ |
消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
待机时电流(#1引脚"L") |
I_std |
10μA max. |
输出负载 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形对称 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
0电平电压 |
VOL |
-更多详细参数可咨询亿金电子http://www.vc-tcxo.com |
1电平电压 |
VOH |
- |
上升时间 下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20~80% Output-OutputN] |
差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247~0.454V |
差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
补偿电压 |
VOS |
1.125~1.375V |
补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉点电压 |
Vcr |
- |
OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
周期抖动(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
总抖动(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
西迪斯5070差分输出晶体振荡器型号编码
晶振编码 | 品牌 | 代理商 | 型号 | 频率 | 精度偏差 | 封装尺寸 |
637L15623I2T | CTS晶振 | 亿金电子 | 637 | 156.25MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
637L21253I2T | CTS晶振 | 亿金电子 | 637 | 212.5MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
637P7423I3T | CTS晶振 | 亿金电子 | 637 | 74.25MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
637L5003I2T | CTS晶振 | 亿金电子 | 637 | 50MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
637P2503I2T | CTS晶振 | 亿金电子 | 637 | 25MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
635P3I3125M00000 | CTS晶振 | 亿金电子 | 635 | 125MHz | ±50ppm | (7.70mm x 5.00mm) |
635P3I3133M00000 | CTS晶振 | 亿金电子 | 635 | 133MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
635P3I2100M00000 | CTS晶振 | 亿金电子 | 635 | 100MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
635L3I3156M25000 | CTS晶振 | 亿金电子 | 635 | 156.25MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
635L3I2152M52000 | CTS晶振 | 亿金电子 | 635 | 152.52MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
635L3I2156M25000 | CTS晶振 | 亿金电子 | 635 | 156.25MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
635晶振尺寸图
637晶振尺寸图
638晶振尺寸图
使用CTS晶振时应注意以下事项
1:抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2:辐射
将贴片晶振,差分输出晶体振荡器暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
3:化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4:粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
5:卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.CTS晶振,差分晶振,635晶振,637晶振,638晶振
6:静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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