爱普生晶振,温补晶振,TG-5035CG晶振,X1G003851A05800晶振
频率:13M~53MHZ
尺寸:2.5x2.0mm
爱普生株式会社EPSON晶振爱普生拓优科梦,(EPSON — TOYOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶体, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡器(VCXO)、温补晶体振荡器(TCXO).1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.
日本精工爱普生接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】 爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资).
爱普生已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振等出售给我们的客户.
爱普生晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标,并确保其环境保护活动的质量.
爱普生晶振集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的遵守情况.另外为更有效的进行环境保护,将建立自己的特有的环境标准.
精工爱普生晶振集团将在各领域内的商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少废弃物等.
EPSON晶振尽可能的采用无害的原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物.集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用.
爱普生晶振,温补晶振,TG-5035CG晶振,X1G003851A05800晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为X轴,短边为Z轴,面为Y轴.
对于圆片晶振,X、Z轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的UM-1),会在X轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在Z轴上.保证晶振产品的温度特性.石英晶振产品电极的设计:石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率;2.往外界引出电极;3.改变电阻;4.抑制杂波.第1、2、3项相对简单,第4项的设计很关键,电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化.特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求.
爱普生晶振型号
TG-5035CG (AEC-Q200) |
TCXOVC-TCXO |
2.5x2.0x0.8 |
13 to 52 |
+/-2 |
±0.5 / -40 to +85 |
Clipped sine wave |
1.7to3.3 |
|
TG-5035CE |
TCXO or VC-TCXO |
3.2x2.5x0.9 |
10 to 40 |
+/-2 |
+/-0.5 /-30 to +85 |
Clipped sine wave |
1.7to3.3 |
|
TG2016SAN |
TCXO |
2.0x1.6x0.73 |
13 to 2025 to 40 |
+/-2 |
+/-0.5 / -30 to +85 |
Clipped sine wave |
1.1to1.4 |
|
TG-5035CJ |
TCXOVC-TCXO |
2.0x1.6x0.73 |
13 to 52 |
+/-2 |
+/-0.5 / -30 to +85 |
Clipped sine wave |
1.7to3.3 |
|
TG-5035CG |
TCXO or VC-TCXO |
2.5x2.0x0.8 |
13 to 52 |
+/-2 |
+/-0.5 / -30 to +85 |
Clipped sine wave |
1.7to3.3 |
|
TG5032CAN |
TCXO or VC-TCXO
(For Network system) |
5.0x3.2x1.45 |
10 to 50 |
+/-2 |
±0.1 / 0 to +70 |
CMOS |
2.7to5.5 |
|
TG5032SAN |
TCXO or VC-TCXO |
5.0x3.2x1.45 |
10 to 50 |
+/-2 |
±0.1 / 0 to +70 |
Clipped sine wave |
2.7to5.5 |
|
TG5032CDN |
TCXO or VC-TCXO |
5.0x3.2x1.45 |
10 to 50 |
+/-2 |
±0.1 / 0 to +70 |
CMOS |
2.7to5.5 |
|
TG5032SDN |
TCXO or VC-TCXO |
5.0x3.2x1.45 |
10 to 50 |
+/-2 |
±0.1 / 0 to +70 |
Clipped sine wave |
2.7to5.5 |
爱普生晶振型号 |
TG-5035CG晶振 |
|
输出频率范围 |
13M~53MHZ |
|
标准频率 |
16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
|
电源电压范围 |
+1.68~+3.5V |
|
电源电压(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
|
消耗电流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz) |
|
待机时电流 |
-更多详细参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com |
|
输出电压 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
输出负载 |
10kΩ//10pF |
|
频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
温度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃ |
|
电源电压特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
负载变化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
长期变化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
频率控制 |
控制灵敏度 |
- |
频率控制极性 |
- |
|
启动时间 |
2.0ms max. |
爱普生晶振编码
Model
编码
Frequency
LxWxH
Output Wave
Supply Voltage
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
25°C Aging
TG-5035CJ
X1G003841002900
16.368000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-2.0 ppm
-30 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841003000
24.000000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
2.600 to 3.000 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841003300
16.369000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
1.700 to 1.900 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841003400
26.000000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841004000
24.000000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
2.600 to 3.000 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841004800
16.368000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841005200
26.000000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
1.700 to 1.900 V
+/-1.5 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.3 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841005400
16.367667MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851001400
16.369000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 1.900 V
+/-2.0 ppm
-30 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851001600
16.368000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
2.660 to 2.940 V
+/-2.0 ppm
-30 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851003900
32.000000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-1.0 ppm
-10 to +55°C
+/-0.50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-6ppm
TG-5035CG
X1G003851004200
40.000000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851004300
38.400000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 1.900 V
+/-1.5 ppm
-30 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851004900
16.369000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851005100
33.600000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-1.0 ppm
-30 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851007700
24.000000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.600 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.2 mA
+/-1ppm
在使用爱普生晶振时应注意以下事项
1:抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2:辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
3:化学制剂/ pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解爱普生晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4:粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
5:卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.爱普生晶振,温补晶振,TG-5035CG晶振,X1G003851A05800晶振
6:静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
联系人黄娜:18924600166
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