SG7050VAN晶振,5x7mm差分贴片晶振,爱普生SPXO晶振

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EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG7050VAN晶振

频率：73.5M~700MHZ

尺寸：5.0x7.0mm

差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰（EMI）是高度免疫的.

订购热线：0755-27876565

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爱普生株式会社EPSON晶振爱普生拓优科梦,(EPSON — YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶体, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）.1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.

爱普生株式会社EPSON晶振通过追求以QMEMS 技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客.

创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K晶振,温补晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等水晶元器件及其关联产品；并且构筑和革新既可以降低环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动.

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EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG7050VAN晶振,差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围,差分晶振的精度值（PPM）可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0秒,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）.使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.

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爱普生晶振型号	符号	SG7050VAN晶振
输出规格	-	LVDS
输出频率范围	fo	73.5～700MHz
电源电压	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
频率公差（含常温偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存温度范围	T_stg	-40～+125℃
运行温度范围	T_use	-20～+70℃ ,-40～+85℃
消耗电流	I_CC	20mA max.
待机时电流（＃1引脚"L"）	I_std	10μA max.
输出负载	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形对称	SYM	45～55% [at outputs cross point]
0电平电压	V_OL	-更多晶振参数信息请联系我们http://www.vc-tcxo.com
1电平电压	V_OH	-
上升时间下降时间	tr, tf	0.4ns max. [20～80% Output-OutputN]
差分输出电压	V_OD1, V_OD2	0.247～0.454V
差分输出误差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
补偿电压	V_OS	1.125～1.375V
补偿电压误差	⊿V_OS	50mV
交叉点电压	Vcr	-
OE端子0电平输入电压	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1电平输入电压	V_IH	V_CC×0.7 min.
输出禁用时间	tPLZ	200ns
输出使能时间	tPZL	2ms
周期抖动（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖动（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
总抖动（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖动	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz～5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz～20MHz]

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yijin-4 在使用EPSON晶振时应注意以下事项:

以下是石英晶振电路设计匹配问题：

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. （请参阅芯片组的规格）
Rf为具有200KΩ~1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.

一个稳定的石英晶体振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：

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线路连接的电阻（R）与晶体串联
（2）从起点到振荡的停止点调整R的值.
（3）振荡期间测量R的值.
（4）你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG7050VAN晶振

如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况：

降低外部电容（Cd和CG）的值,并采用其爱普生SPXO有源晶振,晶振具有较低负载电容（CL）.
采用具有较低电阻（RR）的晶振.
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.

当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系亿金电子的应用工程师寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.

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