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32.768K晶振,圆柱晶振,3x8晶振

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产品简介

32.768K系列为满足市场不同产品对精度的要求,通常情况下分为±5PPM、±10PPM、±20PPM,如果有其他特殊要求的客户也可以分为在精度上分为正偏差以及负偏差.音叉型表晶32.768K晶振在产品中使用温度范围可以达到—40°到+70°的宽温要求.国产插件32.768K系列主要使用于较为高端大气上档次的汽车电子、智能家用电器、笔记本、插卡音响、智能手表、以及数码相机等产品中.

产品详情

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深圳市亿金电子企业是一家专业从事生厂石英晶振的大型厂家,晶体就是用石英材料做成的石英晶体谐振器,在电子行业界术语简称晶振.起到产生频率的作用具有稳定,抗干扰性能良好广泛应用于各种电子产品中 .因为在产品生厂过程中我们对于每一粒晶振都会经过每道工序严格的赛选,检测,跌落,老化,在最后出厂全部检测等多道工序,确保出厂产品达到100%合格.亿金电子拥有全无尘车间,引进国外多款全自动功能生产检测,高端仪器设备,过硬的产品质量卓越的技术技能,选择亿金成为您最忠实信赖的合作伙伴您的满意是我们最大的愿望我们为您保驾护航.
QuartzCrystal检测各项指标,氦气泄漏检测器3×10-8— rr•1 / s或更小的泄漏试验以测量以下
把石英晶振存放在温度为-40±3?C时间为24小时.它应当受到标准a— mspheric条件为1h,之后测量测试后ESR应满足规范.后的测试频率.应±5 PPM.
高温检测石英晶振存放在温度为+85±2?C时间为24小时.它应当受到标准a— mspheric条件为1h,之后测量.测试后ESR应满足规范.后的测试频率.应±5 PPM.
正常石英晶振应储存在温度为-40±2?C,相对湿度为90%至95%为48小时.然后,它应当受到标准stmospheric条件为1h,之后测量应.测试后ESR应满足规范.后的测试频率.应±5 PPM.试验后的绝缘电阻应在接受规范.
温度变化石英晶振应进行连续5次变化的温度循环,然后,它应当受到标准大气条件为1h,之后测量应.测试后ESR应满足规范.后的测试频率.应±5 PPM.
老化的石英晶振应储存在温度为-85±3?C720H(30天)±12小时.然后,它应当受到标准stmospheric条件为1h,之后测量应.测试后ESR应满足规范.后的测试频率.应±10 PPM.yijin-1

32.768K晶振,圆柱晶振,3x8晶振,亿金生产的32.768K音叉型石英晶体谐振器产品具有以下几种规格,∅3*8,∅2*6,我公司所有材料均是来自日本进口,封装测试设备采用日本精工仪器设备,并且从日本聘请高级技术工程师,我司所生产的32.768K晶体具有一致性良好,频率稳定度高,耐抗震强,每批次出厂均采用24小时老化测试,产品精度分为以下几种±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根据客户需求特殊分为+偏差,或者-偏差,产品使用温度高温可达到+70°低温可达到-40°产品被广泛应用到比较高端的汽车电子产品,民用产品有家用电器,智能笔记本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等产品.

石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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亿金晶振规格

单位

晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

32.768KHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-20°C +70°C

裸存

工作温度

T_use

-10°C +60°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6(标准),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

7pF

不同负载要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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在使用亿金晶振时应注意以下事项:

插件型晶振安装注意事项:

安装时的注意事项导脚型晶振• 构造圆柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (参阅图 1 和图 2).

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修改插件晶振弯曲导脚的方法(1) 要修改弯曲的导脚时,以及要取出晶振等情况下不能强制拔出导脚,如果强制地拔出导脚,会引起玻璃的破裂,而导致壳内真空浓度的下降,有可能促使晶振特性的恶化以及晶振芯片的破损(参阅图 3).(2) 要修改弯曲的导脚时,要压住外壳基侧的导脚,且从上下方压住弯曲的部位,再进行修改(参阅图 4).32.786K晶振,圆柱晶振,3x8晶振

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弯曲导脚的方法(1) 将导脚弯曲之后并进行焊接时,导脚上要留下离外壳0.5mm的直线部位.如果不留出导脚的直线部位而将导脚弯曲,有可能导致玻璃的破碎 (参阅图5 和图6).(2) 在导脚焊接完毕之后再将导脚弯曲时,务必请留出大于外壳直径长度的空闲部分 (参阅图7).

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如果直接在外壳部位焊接,会导致壳内真空浓度的下降,使晶振特性恶化以及晶振芯片的破损.应注意将晶振平放时,不要使之与导脚相碰撞,请放长从外壳部位到线路板为止的导脚长度 (L) ,并使之大于外壳的直径长度(D).

焊接方法焊接部位仅局限于导脚离开玻璃纤部位 1.0mm 以上的部位,并且请不要对外壳进行焊接.

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