1996年09月台湾津绽NSK晶体科技分公司创立于台北市
1997年12月台湾津绽NSK晶体科技设立香港创群有限公司
1998年02月台湾津绽NSK晶体科技设立深圳办事处,生产销售石英晶振,贴片晶振, 32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器等
2000年04月 总公司迁址至中和市
2001年01月台湾津绽NSK晶体科技成立 BVI JENJAAN QUARTEK CO., 控股公司
2004年 05月台湾津绽NSK晶体科技经证期局核准正式成为公开发行公司
2005年09月 东莞创群石英晶体有限公司再增设 SMD TYPE X'TAL 与 O.S.C. 生产线,总年产量达 125 KK/pcs
2007年11月 东莞创群石英晶体有限公司增设芯片型 SMD TYPE 生产线, 石英晶振,贴片晶振, (SPXO)普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器总年产量 220 KK/pcs
2009年11月 东莞创群石英晶体有限公司通过 ISO9001体系2000版升版为2008版认证东莞创群石英晶体有限公司通过OHSAS18001:2007认证
2010年12月东莞创群石英晶体有限公司取得中华人民共和国全国重点企业质量信用AAA等级证书
2011年台湾津绽NSK晶体科技在东莞的生产基地,东莞创群石英晶体有限公司导入ISO/TS16949:2009体系
津绽公司是世界领先的频率控制组件制造商:石英晶体、晶体振荡器、压控晶体振荡器的主要和关键的电子产品的一部分.津绽为客户提供高质量的晶体组件在电子产品的广泛使用,例如,无线、电信、网络、计算机及外围设备、GSM等通信设备.津绽一直支持台湾与国际客户提供质量晶体超过10年.
津绽晶振,32.768K晶振,NXG 2-6晶振,插件32.768K系列为满足市场不同产品对精度的要求,通常情况下分为±5PPM、±10PPM、±20PPM,如果有其他特殊要求的客户也可以分为在精度上分为正偏差以及负偏差.音叉型表晶32.768K晶振在产品中使用温度范围可以达到—40°到+70°的宽温要求.插件32.768K系列主要使用于较为高端大气上档次的汽车电子、智能家用电器、笔记本、插卡音响、智能手表、以及数码相机等产品中.
晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一
NSK晶振规格 |
单位 |
NXG 2-6晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-20°C ~ +70°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
12.5pF |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用NSK晶振时应注意以下事项:
安装时的注意事项导脚型晶振• 构造圆柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (参阅图 1 和图 2).
修改插件晶振弯曲导脚的方法(1) 要修改弯曲的导脚时,以及要取出晶振等情况下不能强制拔出导脚,如果强制地拔出导脚,会引起玻璃的破裂,而导致壳内真空浓度的下降,有可能促使晶振特性的恶化以及晶振芯片的破损(参阅图 3).(2) 要修改弯曲的导脚时,要压住外壳基侧的导脚,且从上下方压住弯曲的部位,再进行修改(参阅图 4).
弯曲导脚的方法(1) 将导脚弯曲之后并进行焊接时,导脚上要留下离外壳0.5mm的直线部位.如果不留出导脚的直线部位而将导脚弯曲,有可能导致玻璃的破碎 (参阅图5 和图6).(2) 在导脚焊接完毕之后再将导脚弯曲时,务必请留出大于外壳直径长度的空闲部分 (参阅图7).津绽晶振,32.768K晶振,NXG 2-6晶振
如果直接在外壳部位焊接,会导致壳内真空浓度的下降,使晶振特性恶化以及晶振芯片的破损.应注意将晶振平放时,不要使之与导脚相碰撞,请放长从外壳部位到线路板为止的导脚长度 (L) ,并使之大于外壳的直径长度(D).
焊接方法焊接部位仅局限于导脚离开玻璃纤部位 1.0mm 以上的部位,并且请不要对外壳进行焊接.另外,如果利用高温或长时间对导脚部位进行加热,会导致晶振特性的恶化以及晶振的破损.因此,请注意对导脚部位的加热温度要控制在 300°C 以下,且加热时间要控制在5秒以内 (外壳的部位的加热温度要控制在150°C以下).