Abracon晶振,AB26T晶振,2x6晶振,32.768K表晶,AB26T-32.768KHZ晶振

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Abracon llc晶振成立于1992年8月5日,其愿景是成为全球顶级制造商,并拥有非并行应用工程和销售支持.为了实现这一愿景,Abracon获得了iso9001 - 2008质量认证,在北美和海外的生产设施和技术合作伙伴中选择了股权投资,建立了与即将到来的技术公司的渠道伙伴关系,并在其加州的位置设立了一个国家的艺术工程实验室.

2013年11月,Abracon llc晶振集团在德克萨斯州奥斯汀建立了一个新的中西部订单执行中心.这种扩张是必要的,因为Abracon晶振的快速增长和更好的服务于我们的东海岸和欧洲的客户.

Abracon llc晶振集团供应石英晶体,贴片晶振,有源晶振,压电晶振,石英晶体振荡器等.广泛用于与商业、工业、消费者和选择的军事应用等.

Abracon llc晶振集团采用系统的方法来解决石英晶振,有源晶振, 压电石英晶体, 石英水晶振荡子对环境影响

开发和销售拥有最有利的环境特性同时又满足最高可能功效标准的晶振,石英晶振,有源晶振等压电石英晶体器件.

Abracon llc晶振集团采用对环境尽可能健康的生产工艺,在压电石英晶体、有源晶体、压电陶瓷谐振器,压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）开发和制造过程中使用对环境健康的、可回收利用的材料,为开发高效的、对环境影响最小的运输系统而工作.

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Abracon晶振,32.768K晶振,AB26T晶振,32.768K石英晶体频率稳定性强,在各种产品中面对不同环境其晶振都能够保持在10PPM高精度.具有极强的抗震性能,在常规的摔落以及物流运输过程中都不会受到影响,每一批生产的晶振在出厂时都会经过严格的检验,采用24小时老化测试为质量严格把关.

石英晶振的切割设计：用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英贴片晶振晶片的设计：石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.00２mm内,由于贴片晶振晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动,面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强,从而造成如若石英晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工作,从而导致产品在客户端不能正常使用,晶振的研发及生产超小型石英晶振完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题,公司在此方面通过理论与实践相结合,模拟出一整套此石英晶振晶片设计的计算机程序,该程序晶振的晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果.

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Abracon晶振规格	单位	AB26T晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C ～ +60°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	7pF ～ ∞	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

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AB26T 6.2-2.1

yijin-4 在使用Abracon晶振时应注意以下事项：

插件型晶振安装注意事项：

安装时的注意事项导脚型晶振• 构造圆柱晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (参阅图 1 和图 2).

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• 修改插件晶振弯曲导脚的方法(1) 要修改弯曲的导脚时,以及要取出晶振等情况下不能强制拔出导脚,如果强制地拔出导脚,会引起玻璃的破裂,而导致壳内真空浓度的下降,有可能促使晶振特性的恶化以及晶振芯片的破损(参阅图 3).(2) 要修改弯曲的导脚时,要压住外壳基侧的导脚,且从上下方压住弯曲的部位,再进行修改(参阅图 4).Abracon晶振,32.768K晶振,AB26T晶振

弯曲导脚的方法(1) 将导脚弯曲之后并进行焊接时,导脚上要留下离外壳0.5mm的直线部位.如果不留出导脚的直线部位而将导脚弯曲,有可能导致玻璃的破碎 (参阅图5 和图6).(2) 在导脚焊接完毕之后再将导脚弯曲时,务必请留出大于外壳直径长度的空闲部分 (参阅图7).

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如果直接在外壳部位焊接,会导致壳内真空浓度的下降,使晶振特性恶化以及晶振芯片的破损.应注意将晶振平放时,不要使之与导脚相碰撞,请放长从外壳部位到线路板为止的导脚长度 (L) ,并使之大于外壳的直径长度(D).

焊接方法焊接部位仅局限于导脚离开玻璃纤部位 1.0mm 以上的部位,并且请不要对外壳进行焊接.另外,如果利用高温或长时间对导脚部位进行加热,会导致晶振特性的恶化以及晶振的破损.因此,请注意对导脚部位的加热温度要控制在 300°C 以下,且加热时间要控制在5秒以内 (外壳的部位的加热温度要控制在150°C以下).

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