1979年,在美国华盛顿州成立了Pletronics公司,主营石英晶振,贴片晶振,有源晶振,压控振荡器,(PXO)普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器等.
1981年Pletronics晶振公司在韩国建立了一家独资工厂
1997年通过BSI实现了ISO 9001:1994,符合欧盟环保要求.
2000年卖掉了韩国工厂.转移到合同制造(铸造厂)
2001年在华盛顿制造的PECL和LVDS振荡器,使用FR4 PCB上的离散组件
2002年通过BSI实现了ISO 9001:2000,符合欧盟环保要求,开发出高频基本晶体
2003年Pletronics晶振公司在韩国和中国合资经营
2004年在5x7陶瓷中引入了较低成本的高频率PECL和LVDS振荡器,具有低抖动,低电源电压,低功耗等特点.
2005年第一个合成的PECL和LVDS振荡器106.25MHz和212.5MHz,高频率石英晶体振荡器具有高稳定性能,低功耗低抖动等特点.适用于高端精密设备中,比如高速光纤网络,北斗卫星等.
2006年介绍了我们的LVDS系列石英晶体振荡器,贴片晶振,有源晶振.
2007年合成振荡器的合资企业建立
2008年为新兴技术发布了重要的新产品,如超精密有源晶振,低损耗晶体振荡器等.
2009年发展过程和精密TCXO温补晶振,温补晶体振荡器的初步试生产
2010年引入OeXo®系列OCXO恒温晶体振荡器替代技术
2011年开发了LC振荡器技术,投入到各种高端智能设备,GPS卫星导航,无线电基站,北斗卫星导航等领域应用.
2013年引入GypSync®TCXO模块
2014年引进100fs超低抖动的PECL / LVDS / HCSL J系列晶体振荡器,北斗导航温补晶振,北斗GPS模块晶体振荡器
2015年推出了OeM8增强TCVCXO压控温补晶振,石英晶体振荡器,贴片晶振.
2016年引进了50fS超低抖动的PECL / LVDS K系列振荡器,石英晶体振荡器,贴片晶振, (TCXO)温补晶体振荡器,压控晶体振荡器(VCXO).
Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振,差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.
晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一.
Pletronics晶振型号 |
符号 |
|
输出规格 |
- |
LVDS |
输出频率范围 |
fo |
10.9~670MHz |
电源电压 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
频率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
保存温度范围 |
T_stg |
-40?+85℃ |
运行温度范围 |
T_use |
-10?+70℃,-40?+85℃ |
消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
待机时电流(#1引脚"L") |
I_std |
10μA max. |
输出负载 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形对称 |
SYM |
45?55% [at outputs cross point] |
0电平电压 |
VOL |
-更所晶振参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com |
1电平电压 |
VOH |
- |
上升时间下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247?0.454V |
差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
补偿电压 |
VOS |
1.125?1.375V |
补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉点电压 |
Vcr |
- |
OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
周期抖动(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
总抖动(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
符号 |
LV97晶振 |
|
输出规格 |
- |
LVDS |
输出频率范围 |
fo |
10.9~670MHz |
电源电压 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
频率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
保存温度范围 |
T_stg |
-40?+85℃ |
运行温度范围 |
T_use |
-10?+70℃,-40?+85℃ |
消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
待机时电流(#1引脚"L") |
I_std |
10μA max. |
输出负载 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形对称 |
SYM |
45?55% [at outputs cross point] |
0电平电压 |
VOL |
-更多晶振参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com |
1电平电压 |
VOH |
- |
上升时间下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247?0.454V |
差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
补偿电压 |
VOS |
1.125?1.375V |
补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉点电压 |
Vcr |
- |
OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
周期抖动(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
总抖动(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用Pletronics晶振时应注意以下事项:
晶体产品线路焊接安装时注意事项
耐焊性:
将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
(1)柱面式产品和DIP产品
晶振产品类型 |
晶振焊接条件 |
插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下 |
手工焊接+300°C或低于3秒钟 |
SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230° |
+260°C或低于@最大值10 s |
(2)SMD产品回流焊接条件图
用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断.请联系我们以便获取相关信息.Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振
尽可能使温度变化曲线保持平滑: