加高晶振,HSX211S晶振,HSX211SK晶振,2016无源贴片晶振

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加高晶振产品技术方面,除了不断提升,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,的精密度及稳定性之外,我们更专注开发高温度耐受性的产品、特殊应用领域之规格,并朝小型化开发设计,以满足终端产品的发展趋势.加高电子历经近40年的经营,在追求技术及销售之余,我们更竭力于环境的保护,投入绿色化产品及材料的开发,秉持『取之于社会,用之于社会』的理念,推动环保、节能及社会回馈等生活概念,期盼带动我们企业的同仁、供货商伙伴及客户群参与并发起社会活动,共同创造美好、健康的未来.

我们致力于建立深厚的顾客信赖关系及满意度的提升.为达到全面服务客户对于石英水晶振荡子,陶瓷振动子,32.768K,时钟晶体,压电石英晶体需求、制造质量与价格优势,我们在台湾、加高晶振集团在大陆及泰国皆拥有生产工厂,并且提供多元化的网路服务,配置多国语言能力之销售团队,使我们能够与国际客户群进行有效的沟通,取得客户的支持及认可,国内外客户皆可透过各地的销售办事处和经销商,取得完整即时的需求回应及服务.

yijin-1 加高晶振,石英晶体谐振器,HSX211S晶振,HSX211SK晶振,2520mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接（产品无铅对应）,为无铅产品.

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）.使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.

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加高晶振规格	单位	HSX211SA晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	16MHZ~66MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C ～ +60°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

加高晶振规格	单位	HSX211SAK晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	20MHZ~50MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +105°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年