日本大真空晶体,温补晶振,DSB211SCA晶振

2016mm体积的温补晶振（TCXO）,是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度：最高0.8 mm,体积：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊）无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC（频率控制）功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.

日本株式会社大真空KDS晶振发展史：

1959年在在神户市成立加工电子零件和石英晶体,进口晶振,爱普生晶体,KDS晶振,石英水晶振荡子.

1963公司变更为合股公司组织.

1965开始大规模生产石英晶体谐振器,32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器等部件.

1970年日本株式会社大真空KDS晶振在东京办事处开业.

1973年开设kurodasho厂（现在的西胁工厂）生产晶体管.

1974年开设川厂（现在的凉厂）是目前人造石英晶体,（SPXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,(OCXO)恒温晶体振荡器等生产规模最大的.

1976年开设宫崎厂（目前九州大真空公司）为音叉型石英晶体谐振器生产,在加古川市完成新总部.

1977年成立和谐电子公司建立大真空（美国）有限公司开始向美国市场供应晶体谐振器.

1980年开设鸟取工厂（目前鸟取生产部）对晶体谐振器生产增加.同年开始生产石英晶体滤波器和晶振时钟.

1981年建立大真空（香港）公司开始提供音叉型石英晶体谐振器,晶体振荡器,有源晶振的香港和中国市场.

1983年大阪证券交易所二期上市.

1984年独立完成中心实验室,开设德岛工厂（目前德岛生产部）作为人造石英晶体的稳定的生产基地,部分设备和石英谐振器,开始大规模生产光学低通滤波器.

1985年打开德岛第二厂开始生产陶瓷产品,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振,陶瓷雾化片打开配送中心在加古川市.

1987名古屋办事处开业.开始的温度补偿晶体振荡器（TCXO）生产和电压控制晶体振荡器（VCXO）.

1988建立大真空（新加坡）有限公司加强在东盟地区销售.

1989更改公司名称大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亚启动海外生产晶体谐振器.

1990-1991大阪证券交易所第一节上市.建立大真空（德国）公司加强在欧洲的销售.

1993建立了天津该公司开始音叉型石英晶体谐振器,石英水晶振荡子,陶瓷振动子,32.768K,时钟晶体,压电石英晶体的海外生产.

1996日本株式会社大真空KDS晶振获得ISO9001（国际标准化组织质量管理标准）.

1998（获得QS9000质量标准/汽车质量保证管理体系.）

2000获得ISO14001（环境管理体系由国际标准化组织）,获得ISO / TS 16949（技术规范由国际标准化组织）.

2003扩大生产规模天津加工厂面积,成立上海锐致国际贸易有限公司加强在中国的销售.以和谐电子公司为我公司的综合子公司加强石英晶振,压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等器件业务.

2010日本株式会社大真空KDS晶振建立大真空（泰国）有限公司.

2012日本株式会社大真空KDS晶振扩大在加古川市中央实验室的地板尺寸.

2013东京证券交易所第一节上市.

日本株式会社大真空KDS晶振集团设立在日本国兵库县加古川市平冈町新在家,创业时间为1959年11月3日,正式注册成立是在1963年5月8日,当时注册资金高达321亿日元之多,主要从事电子元件以及电子设备生产销售一体化,包括晶体谐振器,音叉型晶体谐振器,晶体应用产品,晶体振荡器,晶体滤波器,晶体光学产品,硅晶体时钟设备,MEMS振荡器等.

日本大真空株式会社KDS晶振,于1993年被天津政府对外资招商部特别邀请在中国天津投资.日本大真空在当年5月份,就在天津市位于武清开发区确定投资建厂,品牌是简称(KDS)当时总额1.4亿美元,注册资本4867.3万美元,占地面积67.5亩.

温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术：是超小型、超低频石英晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶振行业的技术难题之一.KDS晶振集团具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定.

KDS晶振型号		DSB211SDN
输出频率范围		12.288?52MHz
标准频率		16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
电源电压范围		+2.6~+3.3V
电源电压（Vcc）		+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗电流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）
待机时电流		-更多相关参数信息请联系我们http://www.vc-tcxo.com
输出电压		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
输出负载		10kΩ//10pF
频率稳定度	常温偏差	±1.5×10-6max.（After 2 reflows）
	温度特性	±0.5×10-6,±2.5×10-6max./-30~+85℃ ±0.5×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃（Option）
	电源电压特性	±0.2×10-6max.（VCC±5%）
	负载变化特性	±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%）
	长期变化	±1.0×10-6max./year
频率控制	控制灵敏度	-
	频率控制极性	-
启动时间		2.0ms max.

在使用日本大真空晶体时应注意以下事项

自动安装时的冲击：

石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品.请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等.

每个封装类型的注意事项

陶瓷包装晶振与SON产品
在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂（开裂）.尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法.
陶瓷包装石英晶振
在一个不同扩张系数电路板（环氧玻璃）上焊接陶瓷封装石英晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性.

（2）陶瓷封装贴片晶振
在一个不同扩张系数电路板（环氧玻璃）上焊接陶瓷封装贴片晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性.

（3）柱面式产品
产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂（开裂）,也可能导致气密性和产品特性受到破坏.当石英晶振的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂.当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正.在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏.所以在此处请不要施加压力.另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上.