HC-49/U-S晶振,HC-49/U-S12000000BBQB晶振,西铁城晶振,49S插件晶体

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1959年手表的组装工厂生产和御代田精密株式会社设立

1960年手表的零部件制造厂和河口湖精密株式会社设立（后的西铁城西洋网股份有限公司）

1963年轴承石的生产的目的,シメオ精密株式会社（后的西铁城精密科技股份有限公司）成立

1964年计量器类（刻度规）的生产开始

1973年西铁城使用晶振钟表用步进马达磁铁的生产开始

1974年フジミ株式会社设立

1975年钟表用音叉型水晶振动子片,压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体开始生产

1976年水晶振动子,晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器的生产开始

1978年通过陶瓷材料的手表用轴承石的生产开始

1982年高频率有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,水晶振动子片的生产开始

1986年西铁城使用晶振电子视图的生产开始

1987年光通信用的零部件?菲规则的生产开始

1989年光通信用零部件?成套筒的生产开始

1990年在香港务冠實业有限公司设立

1991年御代田精密有限公司的商号为ミヨタ株式会社设立

1993年的树脂邦德生产

1995年北御牧事业所设立

2000年強电微液晶显示器的生产开始

2001年中国·梧州市领冠电子（梧州）有限公司设立,主要生产销售晶振,石英晶振,有源晶振, 32.768K,时钟晶体,压电石英晶体,温补晶振,石英晶体振荡器.

2003年在中国?苏州市喜美歌电子材料（苏州）有限公司设立（后的西铁城光电器件（苏州）有限公司）

2005年ミヨタ股份有限公司的商号为西铁城ミヨタ株式会社设立

2006年薄膜亚mount生产开始

2008年西铁城ミヨタ株式会社西铁城精密科技股份有限公司合并.合并公司名西铁城精细技术ミヨタ株式会社

迎来2009年创立50周年

2012年美国科罗拉多州上MIYOTA DEVELOPMENT CENTER OF AMERICA成立INC .

2013年CITIZEN SEIMITSU（THAILAND）CO .,设立LTD .

2015年西铁城精密科技ミヨタ株式会社西铁城西洋网股份公司合并.合并公司西铁城精密设备有限公司

2016年CITIZEN FINEDEVICE PHILIPPINES设立CORP .

西铁城石英晶振集团创立于1959年7月28日,当时注册资金高达17亿多,所做产品涉及领域较广,自动车部品,水晶振动子,水晶振荡器,石英晶体振荡器及水晶片,映像用电子机器,液晶显示器,光通信用部品,工业机械装置,精密计测机械,小型精密金属加工部件等.

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西铁城晶振,石英晶振,HC-49/U-S晶振,HC-49/U-S12000000BBQB晶振,插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶体谐振器的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

石英晶振的切割设计：用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英贴片晶振晶片的设计：石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.00２mm内,由于贴片晶振晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动,面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强,从而造成如若石英晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工作,从而导致产品在客户端不能正常使用,晶振的研发及生产超小型石英晶振完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题,公司在此方面通过理论与实践相结合,模拟出一整套此石英晶振晶片设计的计算机程序,该程序晶振的晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果.

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西铁城晶振规格	单位	HC-49/U-S晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	3.5MHZ~50MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作温度	T_use	-20°C ～ +70°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年