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石英晶振,贴片晶振,YJ-7050mm晶振

石英晶振,贴片晶振,YJ-7050mm晶振石英晶振,贴片晶振,YJ-7050mm晶振

产品简介

7050石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

产品详情

YJ-SY-1

亿金电子所生产的贴片晶振外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.公司以精益求精的要求来满足广大客户的需求.

很多通讯产品上大多数用到石英晶振,各种不同体积插件或者贴片晶振在产品中具有高稳定性能作用频率可根据产品需要来订做亿金生产游戏机晶振,键盘晶体,电话机晶振,数码产品HC49/S,HC49/SMD,7050mm,6035,3225,等体积,生产的是一个通用的规格尺寸,采用正常的接缝密封可靠的方法.晶振产品从低频率1.8MHz的频带,在极宽的频率范围内,适用于高频率的基频和泛音.各种无线通信设备和控制设备,如移动通信的应用中,工业和消费,以及大众数码产品,显示适用于所有应用程序的特性和性能.

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石英晶振,贴片晶振,YJ-7050mm晶振,深圳市亿金电子企业是一家专业从事生厂石英晶振的大型厂家,晶体就是用石英材料做成的石英晶体谐振器,在电子行业界术语简称晶振.起到产生频率的作用具有稳定,抗干扰性能良好广泛应用于各种电子产品中 .因为在产品生厂过程中我们对于每一粒晶振都会经过每道工序严格的赛选,检测,跌落,老化,在最后出厂全部检测等多道工序,确保出厂产品达到100%合格.亿金电子拥有全无尘车间,引进国外多款全自动功能生产检测,高端仪器设备,过硬的产品质量卓越的技术技能,选择亿金成为您最忠实信赖的合作伙伴您的满意是我们最大的愿望我们为您保驾护航.
深圳市宝安亿金电子是一家专业生产晶振的大型厂家,工厂生产的晶体振动子国内外均有销售为了各大客户能更准确找到适合的产品,亿金公司成功建立属于自己的官方网站为各户提供一站式服务,不仅有产品图还有详细规格书下载,还提供产品的正确使用方法和到问题解决为客户省时省心又省力,选择亿金是您最忠实的合作伙伴.下面介绍关于晶振的产品性能,49/S,49/U,49/SSMD,6035mm,5032mm,3225mm圆柱晶振系列.
应频率从3,579545MHZ----75MHZ,其中基频AT切范围从3,579545MHZ----27MHZ;
基频BT切范围从24MHZ----40MHZ:频率频差范围:+/-5PPM--+/-50PPM
负载电容:12---50PF或串联;激励功率:0,1--2M;温度范围:-20-----70;电阻:30OHM.

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亿金晶振规格

单位

YJ-7050mm晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

6MHZ~125MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-20°C +70°C

裸存

工作温度

T_use

-10°C +60°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6(标准),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出标准说明,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —+85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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7050 4P SEAM

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在使用亿金贴片晶振时应注意以下事项:

以下是石英晶振电路设计匹配问题:

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. (请参阅芯片组的规格)
Rf
为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd
为限流电阻470Ω1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.

一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:

线路连接的电阻(R)与晶体串联
2)从起点到振荡的停止点调整R的值.
3)振荡期间测量R的值.
4)你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +Rr,RR =晶振的阻力.
附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.

如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:

降低外部电容(CdCG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL.
采用具有较低电阻(RR)的晶振.
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.石英晶振,贴片晶振,YJ-7050mm晶振

当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.

1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.

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