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圆柱晶振,石英晶体,3x8兆赫兹晶振

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产品简介

亿金生产的圆柱晶振具有以下几种规格,3*8,2*6,3*9我公司所有材料均是来自日本进口,封装测试设备采用日本精工仪器设备,并且从日本聘请高级技术工程师,我司所生产的音叉晶体具有一致性良好,频率稳定度高,耐抗震强,每批次出厂均采用24小时老化测试,产品精度分为以下几种±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根据客户需求特殊分为+偏差,或者-偏差.

产品详情

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深圳市宝安亿金电子是一家专业生产晶振的大型厂家,工厂生产的晶体振动子国内外均有销售为了各大客户能更准确找到适合的产品,亿金公司成功建立属于自己的官方网站为各户提供一站式服务,不仅有产品图还有详细规格书下载,还提供产品的正确使用方法和到问题解决为客户省时省心又省力,选择亿金是您最忠实的合作伙伴.下面介绍关于晶振的产品性能,49/S,49/U,49/SSMD,6035mm,5032mm,3225mm圆柱晶振系列.
应频率从3,579545MHZ----75MHZ,其中基频AT切范围从3,579545MHZ----27MHZ;
基频BT切范围从24MHZ----40MHZ:频率频差范围:+/-5PPM--+/-50PPM
负载电容:12---50PF或串联;激励功率:0,1--2M;温度范围:-20-----70;电阻:30OHM.


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圆柱晶振,石英晶体,3x8兆赫兹晶振,亿金生产的圆柱晶振具有以下几种规格,3*8,2*6,3*9我公司所有材料均是来自日本进口,封装测试设备采用日本精工仪器设备,并且从日本聘请高级技术工程师,我司所生产的音叉晶体具有一致性良好,频率稳定度高,耐抗震强,每批次出厂均采用24小时老化测试,产品精度分为以下几种±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根据客户需求特殊分为+偏差,或者-偏差.


超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术:是超小型、超低频石英晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶振行业的技术难题之一.我公司亿金电子具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定.


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亿金晶振规格

单位

晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

6M~70MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-20°C +70°C

裸存

工作温度

T_use

-10°C +60°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6(标准),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

7pF

不同负载要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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3X8

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在使用亿金晶振时应注意以下事项:

晶体产品线路焊接安装时注意事项

耐焊性:

将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.圆柱晶振,石英晶体,3x8兆赫兹晶振

1)柱面式产品和DIP产品

晶振产品类型

晶振焊接条件

插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下
比如:椭圆形引脚插件,圆柱晶体引脚插件

手工焊接+300°C或低于3秒钟
请勿加热封装材料超过+150°C

SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230°

+260°C或低于@最大值 10 s
请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD产品回流焊接条件图

用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断.请联系我们以便获取相关信息.

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尽可能使温度变化曲线保持平滑:

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