US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

产品简介

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃,台湾石英晶振,4垫US系列接缝密封装置包含一个超微型at切割晶体谐振器，封装在一个标准的1.6 x 1.2mm陶瓷封装中。这些紧凑的晶体是理想的表面安装在密集的人口或小的形状因子PCB应用。坚固的AT-cut晶体结构微型1.6 x 1.2mm陶瓷包装，可在胶带和卷；8mm带，3000单位每卷无pb和RoHS/绿色兼容，智能手机，便携式/手持式电脑，PCMCIA卡，笔记本电脑，蓝牙，无线局域网，SIPRF-SIM，，别针驱动器，SD模块

产品详情

BLT-2

yijin-1

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃,台湾石英晶振,4垫US系列接缝密封装置包含一个超微型at切割晶体谐振器，封装在一个标准的1.6 x 1.2mm陶瓷封装中。这些紧凑的晶体是理想的表面安装在密集的人口或小的形状因子PCB应用。坚固的AT-cut晶体结构微型1.6 x 1.2mm陶瓷包装，可在胶带和卷；8mm带，3000单位每卷无pb和RoHS/绿色兼容，智能手机，便携式/手持式电脑，PCMCIA卡，笔记本电脑，蓝牙，无线局域网，，SIPRF-SIM，别针驱动器，SD模块

yijin-2

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

亚陶晶振规格	单位	US晶振频率	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	40MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-20°C ～ +70°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6(标准), (±15 × 10-6～ ±50 × 10-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	10PF	超出标准说明,请联系我们.

yijin-3

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

US 1612

Diodes零件编号	制造商	系列	类型	频率	频率稳定性	频率容差	负载电容
US3200005Z	Diodes晶振	US	MHz 晶体	32 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF
US3840005Z	Diodes晶振	US	MHz 晶体	38.4 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF
US2500002Z	Diodes晶振	US	MHz 晶体	25 MHz	±50ppm	±30ppm	20pF
US3200003	Diodes晶振	US	MHz 晶体	32 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF
US2600008Z	Diodes晶振	US	MHz 晶体	26 MHz	±15ppm	±10ppm	9pF
US2400015	Diodes晶振	US	MHz 晶体	24 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF
US2500007	Diodes晶振	US	MHz 晶体	25 MHz	±10ppm	±10ppm	7pF
US3200013	Diodes晶振	US	MHz 晶体	32 MHz	-	-	-
US3200023	Diodes晶振	US	MHz 晶体	32 MHz	±12ppm	±10ppm	9pF
US3200025	Diodes晶振	US	MHz 晶体	32 MHz	±20ppm	±10ppm	6pF
US3840012	Diodes晶振	US	MHz 晶体	38.4 MHz	±12ppm	±10ppm	7pF
US4800007	Diodes晶振	US	MHz 晶体	48 MHz	-	-	-
US2450001	Diodes晶振	US	MHz 晶体	24.576 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF
US2600015	Diodes晶振	US	MHz 晶体	-	-	-	-
US2600019	Diodes晶振	US	MHz 晶体	26 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF
US3200001	Diodes晶振	US	MHz 晶体	32 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF
US3840004	Diodes晶振	US	MHz 晶体	38.4 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF
US3840005	Diodes晶振	US	MHz 晶体	38.4 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF
US4000004	Diodes晶振	US	MHz 晶体	40 MHz	±20ppm	±10ppm	10pF
F60800011	Diodes晶振	F6	MHz 晶体	8 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF
F61200041	Diodes晶振	F6	MHz 晶体	12 MHz	±20ppm	±20ppm	20pF
F62500053	Diodes晶振	F6	MHz 晶体	25 MHz	±30ppm	±30ppm	10pF