爱普生株式会社EPSON晶振爱普生拓优科梦,(EPSON — YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶体, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡器(VCXO)、温补晶体振荡器(TCXO).1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.
爱普生株式会社EPSON晶振通过追求以QMEMS 技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低 环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客.
创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等水晶元器件及其关联产品;并且构筑和革新既可以降低 环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动.
EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG7050VAN晶振,差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围,差分晶振的精度值(PPM)可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0秒,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.
爱普生晶振型号 |
符号 |
SG7050VAN晶振 |
输出规格 |
- |
LVDS |
输出频率范围 |
fo |
73.5~700MHz |
电源电压 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
频率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
保存温度范围 |
T_stg |
-40~+125℃ |
运行温度范围 |
T_use |
-20~+70℃ ,-40~+85℃ |
消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
待机时电流(#1引脚"L") |
I_std |
10μA max. |
输出负载 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形对称 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
0电平电压 |
VOL |
-更多晶振参数信息请联系我们http://www.vc-tcxo.com |
1电平电压 |
VOH |
- |
上升时间 下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20~80% Output-OutputN] |
差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247~0.454V |
差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
补偿电压 |
VOS |
1.125~1.375V |
补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉点电压 |
Vcr |
- |
OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
周期抖动(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
总抖动(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用EPSON晶振时应注意以下事项:
以下是石英晶振电路设计匹配问题:
一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. (请参阅芯片组的规格)
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.
一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:
线路连接的电阻(R)与晶体串联
(2)从起点到振荡的停止点调整R的值.
(3)振荡期间测量R的值.
(4)你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG7050VAN晶振
如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:
降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL).
采用具有较低电阻(RR)的晶振.
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.
当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.