津绽晶振,石英晶振,NXG SMD晶振

32.768K系列插件晶体具有一致性良好,频率稳定度高,耐抗震强,每批次出厂均采用24小时老化测试,产品精度分为以下几种±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根据客户需求特殊分为+偏差,或者-偏差,产品使用温度高温可达到+70°低温可达到-20℃,产品被广泛应用到比较高端的汽车电子产品,民用产品有家用电器,智能笔记本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等产品.

台湾津绽NSK晶体的石英水晶振荡子,陶瓷振动子,32.768K,时钟晶体,压电石英晶体产品被广泛地运用在个人计算器、安全系统、通讯、无线应用、遥控单元和消费性电子产品等,并已陆续获得国内外计算机及通讯大厂认可及使用.

NSK已获得ISO 9001 / ISO 14001的质量和环保认证,产品并通过及符合RoHS规范的要求,且确实配合客户实现无毒产品的要求,以创造及维护美好环境为己任.

津绽晶振公司是世界领先的频率控制组件制造商：石英晶体、石英晶体振荡器、压控晶体振荡器的主要和关键的电子产品的一部分.津绽为客户提供高质量的晶体组件在电子产品的广泛使用,例如,无线、电信、网络、计算机及外围设备、GSM等通信设备.津绽一直支持台湾与国际客户提供质量晶体超过10年.

台湾津绽NSK晶体科技股份有限公司,依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’,以界定本公司环境/安卫管理系统之范围,包括任何排除之细节及调整,并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系,包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述.本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、产品及服务.

津绽晶振,石英晶振,NXG SMD晶振,32.768K系列为满足市场不同产品对精度的要求,通常情况下分为±5PPM、±10PPM、±20PPM,如果有其他特殊要求的客户也可以分为在精度上分为正偏差以及负偏差.音叉型表晶32.768K晶振在产品中使用温度范围可以达到-20°到+70°的宽温要求.插件32.768K系列主要使用于较为高端大气上档次的汽车电子、智能家用电器、笔记本、插卡音响、智能手表、以及数码相机等产品中.

石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.

NSK晶振规格	单位	NXG SMD晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-20°C ～ +70°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C ～ +60°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6(标准), (±15 × 10-6～ ±50 × 10-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12.5pF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

在使用NSK晶振时应注意以下事项:

1：抗冲击

抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.

2：辐射

将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.

3：化学制剂 / pH值环境

请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.津绽晶振,石英晶振,NXG SMD晶振

4：粘合剂

请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）

5：卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.

6：静电

过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.