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鸿星晶振,32.768K贴片晶振,ETST晶振

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产品简介

32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点,此音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.

产品详情

HX-2

鸿星晶振有限公司于1979年成立,产品由专业石英晶振,贴片晶振,电阻器、电容器制造厂,公元1991年于台湾投入石英晶体之研发制造、1991年开始于中国大陆拓展生产基地,至今拥有四处生产基地、九处营销及FAE据点及十个营销代表处.

鸿星晶振已经成为全球从事石英频率控制组件的重要制造商之一,致力于插件式(DIP)与表面黏着式(SMD)石英晶体,有源晶振,压控振荡器系列产品之研发、设计、生产与营销.

鸿星致力于提供客户最优异的质量、服务及价值,专注于专业创新并鼓励员工以团队合作及积极成长的态度与时俱进.

生产理念:

鸿星晶振的产品作为一个健康的心为客户工作,因此我们投资建立一个有能力的团队和基础设施,为我们所做的每一个产品.公司建立平台有机的学习鼓励跨职能团队的工作保持更好的环境和温补晶振,石英晶体振荡器技术改进.

环保理念:

鸿星晶振科技股份有限公司,依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’,以界定本公司环境/安卫管理系统之范围,包括任何排除之细节及调整,并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系,包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述.本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、产品及服务.


鸿星晶振科技坚持在发展中保护、在保护中发展,积极探索环境保护新道路,切实解决影响科学发展和损害群众健康的突出环境问题,全面开创环境保护工作新局面.

鸿星晶振提供从材料的选定到废弃过程中考虑环境质量的产品.加强制度建设,深化环境监管,向环境污染宣战,促进经济与环境协调发展.


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鸿星晶振,32.768K贴片晶振,ETST晶振,32.768KHz系列晶振产品多元化,外观尺寸有多项选择,并且支持无源以及有源晶振应用,有一个很棒的是几个知名晶振品牌之间产品可以交替替换,比如爱普生的FC-135,西铁城的CM315D,精工的SC320S,KDS的DST310S这四款的32.768K外观尺寸3.2*1.5*0.75mm均是一致,产品频率,精度,负载都可以达到相同,所以消费者在使用方面得到很到的保障,这几款产品本身使用无铅化,卷带SMD包装,产品一般应用在智能手机,控制模组,GPS导航模块,小型蓝牙对接产品等设备.

晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一


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鸿星晶振规格

单位

ETST晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

32.768KHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C +85°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6(标准),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

12.5pF

超出标准说明,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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ETST 3215

yijin-4在使用鸿星晶振时应注意以下事项:

以下是石英晶振电路设计匹配问题:

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. (请参阅芯片组的规格)
Rf
为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd
为限流电阻470Ω1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.鸿星晶振,32.768K贴片晶振,ETST晶振

一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量

线路连接的电阻(R)与晶体串联
2)从起点到振荡的停止点调整R的值.
3)振荡期间测量R的值.
4)你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +Rr,RR =晶振的阻力.
附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.

如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:

降低外部电容(CdCG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL.
采用具有较低电阻(RR)的晶振.
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.

当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.

1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.

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