2520无源晶体,ECLIPTEK晶振,EA2025FA08-16.000M TR晶振,EA2025FA晶振

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服务是Ecliptek日蚀晶振成功的基石.我们时时为客户着想,尽力满足并超越客户对于我们的石英晶振,贴片晶振,电压晶体元件,晶体振荡器,有源晶振等产品的质量要求以及服务价值.凭借先进的设备一流的技术以及公司训练有素的服务团队,多方面的满足各领域客户的不同需求,从而成为晶振行业内的最佳资源之一.

Ecliptek日蚀晶振公司成立于1987年,是一家石英晶振晶体,贴片晶振频率元件控制市场上公认的领导者.日蚀晶振公司拥有先进的产品和领先的技术使我们能够为客户提供最好的石英晶体,贴片晶振,石英水晶和有源晶振,石英晶体振荡器,贴片振荡器产品.

日蚀晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标,并确保其环境保护活动的质量.集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的遵守情况.另外为更有效的进行环境保护,将建立自己的特有的环境标准.集团将在各领域内的商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少废弃物等.

尽可能的采用无害的石英晶振, 晶体振荡器,有源晶振压电石英晶体元器件、压电石英晶体的原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物.集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用.

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ECLIPTEK晶振,无源晶振,EA2025FA08-16.000M TR晶振,EA2025FA晶振,小体积贴片2520mm晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴.

对于圆片晶振,X、Z 轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品（如部分定单的 UM-1）,会在 X 轴方向进行拉弦（切掉一小部分）,以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在 Z 轴上.保证晶振产品的温度特性.石英晶振产品电极的设计：石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率；2.往外界引出电极；3.改变电阻；4.抑制杂波.第1、2、3项相对简单,第4项的设计很关键,电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化.特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求.

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日蚀晶振规格	单位	EA2025FA晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	12.00MHZ~54.0MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

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EA2025FA08-16.000M TR 2520

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在使用ECLIPTEK晶振时应注意以下事项:

以下是石英晶振电路设计匹配问题：

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. （请参阅芯片组的规格）
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.

一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：

线路连接的电阻（R）与晶体串联
（2）从起点到振荡的停止点调整R的值.
（3）振荡期间测量R的值.
（4）你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.

如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况：

降低外部电容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）.
采用具有较低电阻（RR）的晶振.
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.ECLIPTEK晶振,无源晶振,EA2025FA08-16.000M TR晶振,EA2025FA晶振