加高电子(H.ELE.)是晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器频率组件的专业制造商,目前所提供之石英晶体(Crystal),晶体振荡器(Oscillator)之生产及销售规模居全台领先地位.成立于1976年,藉由与日本DAISHINKU(KDS)株式会社的合作,引进日本精密制程、产品设计技术及讲究的质量管理工法,进而累积扎实的研发能力.我们拥有广泛的产品规格及客制化服务,应用范围涵盖日常消费产品 (如:网络与通讯产品、智能家庭和个人计算机)、高阶工业产品和车用电子.
加高晶振产品技术方面,除了不断提升,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,的精密度及稳定性之外,我们更专注开发高温度耐受性的产品、特殊应用领域之规格,并朝小型化开发设计,以满足终端产品的发展趋势.加高电子历经近40年的经营,在追求技术及销售之余,我们更竭力于环境的保护,投入绿色化产品及材料的开发,秉持『取之于社会,用之于社会』的理念,推动环保、节能及社会回馈等生活概念,期盼带动我们企业的同仁、供货商伙伴及客户群参与并发起社会活动,共同创造美好、健康的未来.
加高晶振集团所有的经营组织都将积极应用国际标准以及适用的法律法规.为促进合理有效的公共政策的制订实施加强战略联系.
消除事故和环境方面的偶发事件,减少废物的产生和排放,有效的使用能源和各种自然资源,对紧急事件做好充分准备,以便及时做出反应.
加高晶振,贴片晶振,HSX221G晶振,小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
加高晶振规格 |
单位 |
HSX221G晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
12.00MHZ~54.0MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用加高晶振时应注意以下事项:
石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品.请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等.
每个封装类型的注意事项
陶瓷包装晶振与SON产品
在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂).尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法.
陶瓷包装石英晶振
在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装石英晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性.加高晶振,贴片晶振,HSX221G晶振
(2)陶瓷封装贴片晶振
在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装贴片晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性.
产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏.当石英晶振的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂.当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正.在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏.所以在此处请不要施加压力.另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上.