加高晶振,HSX221SA晶振,HSX221SAK晶振,2520进口无源晶振

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加高电子(H.ELE.)是晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器频率组件的专业制造商,目前所提供之石英晶体(Crystal),晶体振荡器(Oscillator)之生产及销售规模居全台领先地位.成立于1976年,藉由与日本DAISHINKU（KDS）株式会社的合作,引进日本精密制程、产品设计技术及讲究的质量管理工法,进而累积扎实的研发能力.我们拥有广泛的产品规格及客制化服务,应用范围涵盖日常消费产品 (如:网络与通讯产品、智能家庭和个人计算机)、高阶工业产品和车用电子.

台湾HELE晶振致力于建立深厚的顾客信赖关系及满意度的提升.为达到全面服务客户对于石英水晶振荡子,陶瓷振动子,32.768K,时钟晶体,压电石英晶体需求、制造质量与价格优势,我们在台湾、加高晶振集团在大陆及泰国皆拥有生产工厂,并且提供多元化的网路服务,配置多国语言能力之销售团队,使我们能够与国际客户群进行有效的沟通,取得客户的支持及认可,国内外客户皆可透过各地的销售办事处和经销商,取得完整即时的需求回应及服务.

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加高晶振,2520石英贴片晶振,HSX221SA晶振,HSX221SAK晶振,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.

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加高晶振规格	单位	HSX221SA晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	12.00MHZ~54.0MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C ～ +60°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

加高晶振规格	单位	HXS221SAK晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	16MHZ~54MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +105°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年