泰艺晶振,XR晶振,6035石英晶体

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泰艺电子立基台湾,在美国与中国大陆均设有生产据点,营业与销售据点包括台湾台北、美国、欧洲以及中国大陆等地,客户使用石英水晶振荡子,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振遍及汽车产业、消费性电子、信息产业、通信产业与通信基础产业.泰艺电子多年来致力于研发创新,部分核心技术是台湾业界的领先者,近年来陆续取得石英相关制造技术专利；未来将持续加强开发,以成为全球石英晶振频控元件领导者之目标迈进.

泰艺石英晶振公司以严谨的质量管制系统获得客户对产品的信赖度,健全的供应链管理掌握原材物料的来源,满足客户对石英频率元件的需求.

泰艺石英晶振公司主要产品：

石英晶片(Crystal Wafer, Crystal Blank)

广泛用途石英晶体（Crystal）

小型化贴片晶振(SMD Crystal)

一般及精密有源晶振(XO)

小型化贴片石英晶体振荡器（SMD XO）

压控有源晶振（VCXO）

压控温补振荡器(VC/TCXO)

恆溫石英晶振 (OCXO)

未来展望

销售：发展自有品牌及策略性客户、拓展全球化渠道.

产能：经济化、规模化.

产品：高频、高精度、轻、薄、短、小.

制程：标准化、自动化、信息化与弹性化.

供应链：交期短、库存低.

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泰艺晶振,石英晶振,XR晶振,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

石英晶振的切割设计：用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英贴片晶振晶片的设计：石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.00２mm内,由于贴片晶振晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动,面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强,从而造成如若石英晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工作,从而导致产品在客户端不能正常使用,晶振的研发及生产超小型石英晶振完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题,公司在此方面通过理论与实践相结合,模拟出一整套此石英晶振晶片设计的计算机程序,该程序晶振的晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果.

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泰艺晶振规格	单位	XR晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	8MHZ~50MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

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在使用泰艺晶振时应注意以下事项:

以下是石英晶振电路设计匹配问题：

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. （请参阅芯片组的规格）
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.

一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：