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Sitime晶振,有源晶振,SiT2025晶振

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产品简介

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

产品详情

SITIME-1

在过去的几十年里,石英晶体振荡器、时钟发生器和石英晶体谐振器是电子器件中主要的参考计时元件.由于没有其他选择,OEMs和ODMs接受了石英定时装置固有的局限性.现在,有了强大的MEMS谐振器和高性能模拟电路,Sitime晶振公司已经开发出突破石英器件限制的突破性解决方案,研发出高性能贴片晶振,石英晶体振荡器,可编程石英晶体振荡器等.

SiTime石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器在100多个应用程序中被超过1000个客户使用.我们的最大容量设计是在网络、消费者、计算和存储部分.2011,我们开始为电信、无线和工业应用提供产品.SiTime2013年进入智能手机市场,推出了首个移动电话MEMS振荡器,目前在可穿戴设备和物联网应用领域正在迅速发展.

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Sitime晶振,有源晶振,SiT2025晶振,小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.

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项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

115.2M~137MHZ

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

1.60 V to 3.63 V

请联系我们以了解更多相关信息

储存温度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作温度

T_use

G: -40 to +85

请联系我们查看更多资料:http://www.vc-tcxo.com

H: -40 to +105

J: -40 to +125

频率稳定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

无负载条件、最大工作频率

待机电流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

输出电压

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

输出负载条件

L_CMOS

15 pF Max.

输入电压

VIH

80% VCCMax.

ST终端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降时间

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振荡启动时间

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

频率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

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SiT2025 2.9-2.8 OSCyijin-4

在使用SiTime晶振时应注意以下事项:

所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.

噪音

在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

电源线路

电源的线路阻抗应尽可能低.

输出负载

建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间).

未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC GND.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.Sitime晶振,有源晶振,SiT2025晶振

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