Sitime晶振,SiT2025晶振,2.9x2.8mm振荡器

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在过去的几十年里,石英晶体振荡器、时钟发生器和石英晶体谐振器是电子器件中主要的参考计时元件.由于没有其他选择,OEMs和ODMs接受了石英定时装置固有的局限性.现在,有了强大的MEMS谐振器和高性能模拟电路,SiTime晶振公司已经开发出突破石英器件限制的突破性解决方案,研发出高性能贴片晶振,石英晶体振荡器,可编程石英晶体振荡器等.

SiTime石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器在100多个应用程序中被超过1000个客户使用.我们的最大容量设计是在网络、消费者、计算和存储部分.2011年,我们开始为电信、无线和工业应用提供产品.SiTime于2013年进入智能手机市场,推出了首个移动电话MEMS振荡器,目前在可穿戴设备和物联网应用领域正在迅速发展.

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Sitime晶振,有源晶振,SiT2025晶振,小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.

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项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	115.2M~137MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料：http://www.vc-tcxo.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CCMax.	ST终端
输入电压	V_IL	20 % V_CCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年