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NDK晶振,石英晶振,NX5032SA晶振,NX5032SD晶振,NX5032SA-13.000000MHZ-G1晶振

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产品简介

5032智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

产品详情

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日本电波工业株式会社NDK晶振经营范围:晶体谐振器、晶体振荡器等晶体元器件、应用器件、石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,人工水晶及芯片等的晶体相关产品的制造与销售

NDK晶振日本电波工业株式会社作为压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、压电陶瓷谐振器、晶体元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立.

NDK晶振日本电波工业株式会社所说的LCA指的是“生命周期评估”,它包括评估产品的寿命.在这里,产品的生命不仅仅是产品本身的制造阶段,而是包括原料组成产品的零件/材料的开采阶段,包括产品的制造阶段,销售阶段,包括到产品交付给用户使用的阶段,包括产品使用由用户和维修/维护参与它,和处置阶段,通过用户废弃产品回收,回收或处置.ISO14000系列环境标准中也建立了国际标准.

NDK晶振日本电波工业株式会社超低电压驱动的CO2排放量(0.8V ~)型时钟振荡器(nz2520sf)采用最先进的技术和传统的产品开发(2700系列)是由环境LCA技术相比.二氧化碳排放量的计算量的部分制造,产品制造和我们的产品纳入笔记本电脑的功耗,以及产品运输的燃料消耗量.所采用的分析方法是“现场类型”,研究工厂和生产线单位的功耗,然后从产品的总金额,每产品的功耗.

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NDK晶振,石英晶振,NX5032SA晶振,NX5032SD晶振,NX5032SA-13.000000MHZ-G1晶振,智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.

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NDK晶振规格

单位

NX5032SA晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

11.0592MHZ~40MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C +85°C

裸存

工作温度

T_use

-20°C +75°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6(标准),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

10PF

超出标准说明,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

NDK晶振规格

单位

NX5032SD晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

9.75MHZ~40MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C +125°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6(标准),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出标准说明,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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NX5032SA晶振尺寸图:

NX5032SA-5.0_3.2

NX5032SD晶振尺寸图:

NX5032SD-5.0_3.2

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在使用NDK晶振时应注意以下事项:

晶体产品线路焊接安装时注意事项

耐焊性:

将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.

1)柱面式产品和DIP产品

晶振产品类型

晶振焊接条件

插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下
比如:椭圆形引脚插件,圆柱晶振引脚插件

手工焊接+300°C或低于3秒钟
请勿加热封装材料超过+150°C

SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230°

+260°C或低于@最大值 10 s
请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD产品回流焊接条件图

用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断.请联系我们以便获取相关信息.NDK晶振,石英晶振,NX5032SA晶振,NX5032SD晶振,NX5032SA-13.000000MHZ-G1晶振

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尽可能使温度变化曲线保持平滑:

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