日本电波工业株式NDK晶振会社作为压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、压电陶瓷谐振器、晶体元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立.现在我们作为提供电子业必不可少的,在丰富用途被广泛使用的晶体元器件产品以及应用水晶技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合生产厂家,正以企业的继续成长为目标而努力.
日本电波工业株式NDK晶振经营范围：晶体谐振器、晶体振荡器等晶体元器件、应用器件、石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,人工水晶及芯片等的晶体相关产品的制造与销售.
NDK晶振,贴片晶振,NX1210AB晶振,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）.使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.
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NDK晶振规格 |
单位 |
NX1210AB晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
26MHZ~52MHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40°C ～ +85°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-30°C ～ +85°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ～ 100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出标准说明,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用NDK晶振时应注意以下事项：
产品设计人员在设计振荡回路的注意事项
1. 驱动能力
驱动能力说明石英晶体振荡器所需电功率,其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示石英晶振的有效电阻,而且 Re=R1（1+Co/CL）
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡.为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻.NDK晶振,贴片晶振,NX1210AB晶振
3. 负载电容
如果振荡电路中晶振的负载电容不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示.电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS.
其中CS表示电路的杂散电容.
TXC晶振,贴片晶振,8J晶振
KDS晶振,贴片晶振,DSX1210A晶振,无线模块SMD晶振
MuRata晶振,贴片晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
IQD晶振|IQXC-240晶振|LFXTAL081314Reel|1210超小型晶振