CTS晶振公司自1896年以来,CTS晶振一直是未来的一部分.随着技术的不断进步,我们也一直在与之一起,为满足人们不断变化的需求而设计智能的方法.我们的产品在许多行业都得到了认可,所生产石英晶振,高精度贴片晶振,晶体振荡器的性能、可靠性和工程技术都很出色.我们的客户以我们卓越的、一贯的服务水平和我们与他们合作的能力来评价我们.我们的全球足迹使我们能够为全球市场和大公司服务,并与本地市场中的中小企业合作,从而实现一个智能和无缝的世界.
CTS晶振公司在大萧条时期,对便宜的台式收音机的需求增加了,而芝加哥电话供应公司则以更低成本和稳定的碳组成可变电阻器的发展作为回应,这有助于降低无线电元件的成本.在这段时间里,公司从一个生产成品(电话和交换机)的制造商发展成一个部件制造商.
二战期间,美国陆军需要一个链接到前线部队,所以芝加哥电话供应公司集成电话和无线电组件技术开发RM-29远程电话字段设置.陆军/海军生产卓越奖了去芝加哥的电话供应公司杰出的战时生产超过300000电话RM-29字段.然后,在回答一个请求从麻省理工学院(MIT)辐射实验室,工程师致力于创建RLB€“雷达的精密电位计单位.这项新技术使盟军能够执行夜间空袭任务,这对缩短战争至关重要.在以后的几年,和平时期的RLB应用包括空中交通安全、增强天气预报和医疗诊断.
CTS晶振,石英晶体谐振器,GA324晶振,3225mm体积非常小的SMDcrystal器件,是民用小型无线数码产品的最佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择,符合RoHS/无铅.
石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴.
对于圆片晶振,X、Z 轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的 UM-1),会在 X 轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在 Z 轴上.保证晶振产品的温度特性.石英晶振产品电极的设计:石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率;2.往外界引出电极;3.改变电阻;4.抑制杂波.第1、2、3项相对简单,第4项的设计很关键,电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化.特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求.
CTS晶振规格 |
单位 |
GA324晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
12MHZ~40MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用CTS晶振时应注意以下事项:
以下是石英晶振电路设计匹配问题:
一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. (请参阅芯片组的规格)
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.
一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:
线路连接的电阻(R)与晶体串联
(2)从起点到振荡的停止点调整R的值.
(3)振荡期间测量R的值.
(4)你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.
如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:
降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL).
采用具有较低电阻(RR)的晶振.CTS晶振,石英晶体谐振器,GA324晶振
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.
当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.