日本株式会社大真空KDS晶振集团设立在日本国兵库县加古川市平冈町新在家,创业时间为1959年11月3日,正式注册成立是在1963年5月8日,当时注册资金高达321亿日元之多,主要从事电子元件以及电子设备生产销售一体化,包括晶体谐振器,音叉型晶体谐振器,晶体应用产品,晶体振荡器,晶体滤波器,晶体光学产品,硅晶体时钟设备,MEMS振荡器等.
日本株式会社大真空KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念“依赖”于“可靠的人”“可靠的产品”和“可靠的公司”.作为全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会,更方便人们更舒适,通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好.
日本株式会社大真空KDS晶振发展史：
1959年在在神户市成立加工电子零件和石英晶体,进口晶振,爱普生晶体,KDS晶振,石英水晶振荡子.
1963公司变更为合股公司组织.
1965开始大规模生产石英晶体谐振器,32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器等部件.
1970年日本株式会社大真空KDS晶振在东京办事处开业.
1973年开设kurodasho厂（现在的西胁工厂）生产晶体管.
1974年开设川厂（现在的凉厂）是目前人造石英晶体,（SPXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,(OCXO)恒温晶体振荡器等生产规模最大的.
1976年开设宫崎厂（目前九州大真空公司）为音叉型石英晶体谐振器生产,在加古川市完成新总部.
1977年成立和谐电子公司建立大真空（美国）有限公司开始向美国市场供应晶体谐振器.
1980年开设鸟取工厂（目前鸟取生产部）对晶体谐振器生产增加.同年开始生产石英晶体滤波器和晶振时钟.
1981年建立大真空（香港）公司开始提供音叉型石英晶体谐振器,晶体振荡器,有源晶振的香港和中国市场.
1983年大阪证券交易所二期上市.
1984年独立完成中心实验室,开设德岛工厂（目前德岛生产部）作为人造石英晶体的稳定的生产基地,部分设备和石英谐振器,开始大规模生产光学低通滤波器.
1985年打开德岛第二厂开始生产陶瓷产品,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振,陶瓷雾化片打开配送中心在加古川市.
1987名古屋办事处开业.开始的温度补偿晶体振荡器（TCXO）生产和电压控制晶体振荡器（VCXO）.
1988建立大真空（新加坡）有限公司加强在东盟地区销售.
1989更改公司名称大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亚启动海外生产晶体谐振器.
1990-1991大阪证券交易所第一节上市.建立大真空（德国）公司加强在欧洲的销售.
1993建立了天津该公司开始音叉型石英晶体谐振器,石英水晶振荡子,陶瓷振动子,32.768K,时钟晶体,压电石英晶体的海外生产.
1996日本株式会社大真空KDS晶振获得ISO9001（国际标准化组织质量管理标准）.
1998（获得QS9000质量标准/汽车质量保证管理体系.）
2000获得ISO14001（环境管理体系由国际标准化组织）,获得ISO / TS 16949（技术规范由国际标准化组织）.
2003扩大生产规模天津加工厂面积,成立上海锐致国际贸易有限公司加强在中国的销售.以和谐电子公司为我公司的综合子公司加强石英晶振,压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等器件业务.
2010日本株式会社大真空KDS晶振建立大真空（泰国）有限公司.
2012日本株式会社大真空KDS晶振扩大在加古川市中央实验室的地板尺寸.
2013东京证券交易所第一节上市.
大真空晶振,TCXO晶振,DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振,温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数.
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KDS晶振型号 |
DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振 |
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输出频率范围 |
9.6~52MHz |
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标准频率 |
16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
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电源电压范围 |
+1.7~+3.5V |
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电源电压（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗电流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz） |
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待机时电流 |
-更多晶振参数信息请联系我们http://www.vc-tcxo.com |
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输出电压 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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输出负载 |
10kΩ//10pF |
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频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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温度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6max./-30~+85℃ |
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电源电压特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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负载变化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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长期变化 |
±1.0×10-6max./year |
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频率控制 |
控制灵敏度 |
- |
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频率控制极性 |
- |
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启动时间 |
2.0ms max. |
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在使用大真空晶振时应注意以下事项
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.大真空晶振,TCXO晶振,DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.大真空晶振,TCXO晶振,DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO321SW晶振
日本KDS晶振,温补晶振,DSB321SDA晶振,DSB321SDB晶振
KDS晶振,TCXO晶振,DSB321SE晶振
KDS晶振,温补晶振,DSB321SJ晶振