日本株式会社大真空KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念“依赖”于“可靠的人”“可靠的产品”和“可靠的公司”.作为全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会,更方便人们更舒适,通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好.
日本株式会社大真空KDS晶振集团设立在日本国兵库县加古川市平冈町新在家,创业时间为1959年11月3日,正式注册成立是在1963年5月8日,当时注册资金高达321亿日元之多,主要从事电子元件以及电子设备生产销售一体化,包括晶体谐振器,音叉型晶体谐振器,晶体应用产品,晶体振荡器,晶体滤波器,晶体光学产品,硅晶体时钟设备,MEMS振荡器等.
日本株式会社大真空KDS晶振发展史：
1959年在在神户市成立加工电子零件和石英晶体,进口晶振,爱普生晶体,KDS晶振,石英水晶振荡子.
1963公司变更为合股公司组织.
1965开始大规模生产石英晶体谐振器,32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器等部件.
1970年日本株式会社大真空KDS晶振在东京办事处开业.
1973年开设kurodasho厂（现在的西胁工厂）生产晶体管.
1974年开设川厂（现在的凉厂）是目前人造石英晶体,（SPXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,(OCXO)恒温晶体振荡器等生产规模最大的.
1976年开设宫崎厂（目前九州大真空公司）为音叉型石英晶体谐振器生产,在加古川市完成新总部.
1977年成立和谐电子公司建立大真空（美国）有限公司开始向美国市场供应晶体谐振器.
1980年开设鸟取工厂（目前鸟取生产部）对石英晶体谐振器生产增加.同年开始生产石英晶体滤波器和晶振时钟.
1981年建立大真空（香港）公司开始提供音叉型石英晶体谐振器,晶体振荡器,有源晶振的香港和中国市场.
1983年大阪证券交易所二期上市.
1984年独立完成中心实验室,开设德岛工厂（目前德岛生产部）作为人造石英晶体的稳定的生产基地,部分设备和石英谐振器,开始大规模生产光学低通滤波器.
1985年打开德岛第二厂开始生产陶瓷产品,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振,陶瓷雾化片打开配送中心在加古川市.
1987名古屋办事处开业.开始的温度补偿晶体振荡器（TCXO）生产和电压控制晶体振荡器（VCXO）.
1988建立大真空（新加坡）有限公司加强在东盟地区销售.
1989更改公司名称大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亚启动海外生产晶体谐振器.
1990-1991大阪证券交易所第一节上市.建立大真空（德国）公司加强在欧洲的销售.
1993建立了天津该公司开始音叉型石英晶体谐振器,石英水晶振荡子,陶瓷振动子,32.768K,时钟晶体,压电石英晶体的海外生产.
1996日本株式会社大真空KDS晶振获得ISO9001（国际标准化组织质量管理标准）.
1998（获得QS9000质量标准/汽车质量保证管理体系.）
2000获得ISO14001（环境管理体系由国际标准化组织）,获得ISO / TS 16949（技术规范由国际标准化组织）.
2003扩大生产规模天津加工厂面积,成立上海锐致国际贸易有限公司加强在中国的销售.以和谐电子公司为我公司的综合子公司加强石英晶振,压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等器件业务.
2010日本株式会社大真空KDS晶振建立大真空（泰国）有限公司.
2012日本株式会社大真空KDS晶振扩大在加古川市中央实验室的地板尺寸.
2013东京证券交易所第一节上市.
大真空晶振,TCXO晶振,DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振,温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数.
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KDS晶振型号 |
DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振 |
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输出频率范围 |
9.6~52MHz |
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标准频率 |
16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
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电源电压范围 |
+1.7~+3.5V |
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电源电压（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗电流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz） |
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待机时电流 |
-更多晶振参数信息请联系我们http://www.vc-tcxo.com |
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输出电压 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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输出负载 |
10kΩ//10pF |
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频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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温度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6max./-30~+85℃ |
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电源电压特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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负载变化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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长期变化 |
±1.0×10-6max./year |
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频率控制 |
控制灵敏度 |
- |
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频率控制极性 |
- |
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启动时间 |
2.0ms max. |
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在使用大真空晶振时应注意以下事项
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论哪款温补晶振,石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解超小体积TCXO晶振,石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.大真空晶振,TCXO晶振,DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO321SW晶振
日本KDS晶振,温补晶振,DSB321SDA晶振,DSB321SDB晶振
KDS晶振,TCXO晶振,DSB321SE晶振
KDS晶振,温补晶振,DSB321SJ晶振