日本大真空晶振,石英晶体振荡器,DSA321SDA晶振

3225压控温补晶振具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,体积：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊） 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.被广泛用于智能手机晶体,无线基站,精密仪器,GPS卫星,汽车应用等.

日本株式会社大真空KDS晶振发展史：

1959年在在神户市成立加工电子零件和石英晶体,进口晶振,爱普生晶体,KDS晶振,石英水晶振荡子.

1963公司变更为合股公司组织.

1965开始大规模生产石英晶体谐振器,32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器等部件.

1970年日本株式会社大真空KDS晶振在东京办事处开业.

1973年开设kurodasho厂（现在的西胁工厂）生产晶体管.

1974年开设川厂（现在的凉厂）是目前人造石英晶体,（SPXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,(OCXO)恒温晶体振荡器等生产规模最大的.

1976年开设宫崎厂（目前九州大真空公司）为音叉型石英晶体谐振器生产,在加古川市完成新总部.

1977年成立和谐电子公司建立大真空晶振（美国）有限公司开始向美国市场供应晶体谐振器.

1980年开设鸟取工厂（目前鸟取生产部）对晶体谐振器生产增加.同年开始生产KDS晶振,石英晶体滤波器和晶振时钟.

1981年建立大真空（香港）公司开始提供音叉型石英晶体谐振器,晶体振荡器,有源晶振的香港和中国市场.

1983年大阪证券交易所二期上市.

1984年独立完成中心实验室,开设德岛工厂（目前德岛生产部）作为人造石英晶体的稳定的生产基地,部分设备和石英谐振器,开始大规模生产光学低通滤波器.

1985年打开德岛第二厂开始生产陶瓷产品,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振,陶瓷雾化片打开配送中心在加古川市.

1987名古屋办事处开业.开始的温度补偿晶体振荡器（TCXO）生产和电压控制晶体振荡器（VCXO）.

1988建立大真空（新加坡）有限公司加强在东盟地区销售.

1989更改公司名称大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亚启动海外生产晶体谐振器.

1990-1991大阪证券交易所第一节上市.建立大真空（德国）公司加强在欧洲的销售.

1993建立了天津该公司开始音叉型石英晶体谐振器,石英水晶振荡子,陶瓷振动子,32.768K,时钟晶体,压电石英晶体的海外生产.

1996日本株式会社大真空KDS晶振获得ISO9001（国际标准化组织质量管理标准）.

1998（获得QS9000质量标准/汽车质量保证管理体系.）

2000获得ISO14001（环境管理体系由国际标准化组织）,获得ISO / TS 16949（技术规范由国际标准化组织）.

2003扩大生产规模天津加工厂面积,成立上海锐致国际贸易有限公司加强在中国的销售.以和谐电子公司为我公司的综合子公司加强石英晶振,压控晶体振荡器（VCXO）、压控温补晶振(VC-TCXO)温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等器件业务.

2010日本株式会社大真空KDS晶振建立大真空（泰国）有限公司.

2012日本株式会社大真空KDS晶振扩大在加古川市中央实验室的地板尺寸.

2013东京证券交易所第一节上市.

日本株式会社大真空KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念“依赖”于“可靠的人”“可靠的产品”和“可靠的公司”.作为全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会,更方便人们更舒适,通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好.

日本株式会社KDS晶振不断努力为我们的客户在日本国内外提供世界一流的质量和满意程度高.所生产石英晶体,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美国、英国、德国,到中国,新加坡,泰国和其他亚洲国家.以“依赖”为公司方针,以客户为导向,创新高效的经营管理,努力创造利润,履行企业社会责任.

日本大真空晶振,石英晶体振荡器,DSA321SDA晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

KDS石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）.使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.

KDS晶振型号		DSA321SDA晶振
输出频率范围		9.6~52MHz
标准频率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
电源电压范围		+1.7~+3.5V
电源电压（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗电流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待机时电流		-更多晶振参数信息请联系我们http://www.vc-tcxo.com
输出电压		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
输出负载		10kΩ//10pF
频率稳定度	常温偏差	±1.5×10-6max.（After 2 reflows）
	温度特性	±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-30~+85℃ ±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃（Option）
	电源电压特性	±0.2×10-6max.（VCC±5%）
	负载变化特性	±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%）
	长期变化	±1.0×10-6max./year
频率控制	控制灵敏度	±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V ±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V
	频率控制极性	正极性

在使用日本大真空晶振时应注意以下事项

1：抗冲击

抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.

2：辐射

将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.

3：化学制剂 / pH值环境

请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.日本大真空晶振,石英晶体振荡器,DSA321SDA晶振

4：粘合剂

请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）

5：卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用3225压控温补晶体振荡器,石英晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.

6：静电

过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.