CT2016DB晶振,2.0x1.6mm石英晶体,京瓷晶振,CT2016DB38400C0FLHA2晶振

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京瓷株式会社晶振集团主要生产销售石英水晶振荡子,陶瓷振动子,32.768K,时钟晶体,压电石英晶体,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等器件,他的第一个字母“K”环起了陶瓷这一英文的第一个字母“C”,它由象征追求更广阔的领域,展翅面向未来的企业商标和企业标识构成.1982年10月,公司由“京都陶瓷株式会社”变更为“京瓷株式会社”之际,便开始启用这一标识.作为象征性标记的颜色,选择了富有热情和挑战意味的红色 .

“The New Value Frontier”(即在最尖端领域不断创造新价值)是京瓷向社会发出的能够表现公司强烈意愿的宣言.京瓷将发挥集团的综合实力,用独有的技术和视角开辟和构筑时代与市场所求的价值形态.

京瓷株式会社晶振为了人类和社会的进步与发展以独创性和高品质,不断创造新价值.为此追求事物的本质,力求提高品质以自身的技术、视角,开拓适应时代和市场需求的价值.同时在开展各项事业时,以“创造超出顾客期望值的价值”为信念,承诺“带来感动和欢喜的表现（技术、品质和适应能力）”

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京瓷晶振,石英晶振,CT2016DB晶振,CX2016DB晶振,CT2016DB38400C0FLHA2晶振,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

石英晶振真空退火技术：晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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京瓷晶振规格	单位	CT2016DB晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	19.2MHZ~60MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +105°C	裸存
工作温度	T_use	-30°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

京瓷晶振规格	单位	CX2016DB晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	16MHZ~60MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +85°C,-40℃~125℃	裸存
工作温度	T_use	-10°C ～ +70°C,-40℃~125℃	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

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CT2016DB晶振尺寸图：

石英晶振CX2016DB尺寸图：

CX2016DB_2.0_1.6

yijin-4 在使用京瓷晶振时应注意以下事项:

所有产品的共同点

1：抗冲击

抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.京瓷晶振,石英晶振,CT2016DB晶振,CX2016DB晶振,CT2016DB38400C0FLHA2晶振