CM200S晶振,CITIZEN Crystal,陶瓷面晶振,CM200S32.768KDZFT晶振

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西铁城晶振公司为工业市场提供高性能和精密设备,不断开发新技术和新技术在我们的制造业和工程.我们有一个良好的信誉在市场上特别是对我们的晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等高精密零件使用我们自己的核心技术和脆性材料和微显示高清图片是必需的.是尽一切努力来改善我们的技术和发展提供有价值的服务我们的客户,即使这是一个利基市场.

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YJ-1

西铁城晶振,石英晶体,CM200S晶振，贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

晶振的真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一

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西铁城晶振规格	单位	CM200S晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息, http://www.vc-tcxo.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12.5PF～ ∞	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年