Abracon分层3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振，高精度时钟+超低相位噪声，Abracon晶振公司的OCXO解决方案采用精密SC切割高“Q”石英晶体谐振器设计，并结合精密的温度监测和控制电路。这种组合使Abracon能够满足该OCXO系列的3层和3E层要求。
该OCXO系列非常适合需要高频稳定性、低相位噪声和精确保持性能的5G或GPS应用，例如基站、小型蜂窝平台、互联网数据中心以及卫星和航空航天通信。
温度范围内的精确稳定性与超低±1ppb的每日老化相结合，可实现±15ppb、24小时保持精度，具体取决于系统条件。如果系统丢失参考时钟，保留会延长系统的有用运行时间，这是设计射频、网络、电信、GPS和参考计时应用时的一个重要考虑因素。此外，严格的短期稳定性改善了低带宽锁相环的采集时间和GPS应用的整体精度。
AOC1409支持20MHz频率，采用小型14.9x9.7x7.0（6引脚）封装。AOC2012采用20.32x12.70x11.00mmSMD（4引脚）封装，工作温度范围为-20°C至+70°C。AOC2522系列具有±750ppb的长期老化特性，采用25.4x22x12.7mm（5焊盘）封装尺寸。AOC1409和AOC2522的工作温度范围为-40°C至+85°C。
Abracon分层3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振
特征
AOC1409特性
六引脚SMD回流焊接封装
卓越的长期老化：700年内±20ppb
AOC2012特性
四引脚SMD回流焊接封装
卓越的长期老化：1年内±20ppm
AOC2522A/B特性
五焊盘SMD回流焊接封装
卓越的长期老化：750年内±20ppb
温度稳定性：-10°C至+40°C范围内±85ppb
应用:基站,精密全球定位系统,蜂窝基础设施,测试与测量设备,交换机和路由器,时间和频率参考。晶振资料下载
| ABRACON晶振 | 生产品牌 | 型号 | 类型 | 频率 | 输出 | 电压 | 频率稳定度 | 工作温度 |
| AOCJYR-10.000MHZ-M5625LF | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 10MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCJYR-20.000MHZ-M5627LF | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 20MHz | LVCMOS | 3.3V | ±20ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-1 | Abracon晶振 | AOCJY7TQ | OCXO | 100MHz | Sine Wave | 12V | ±100ppb | -40°C ~ 70°C |
| AOCTQ5-V-10.000MHZ-I5 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±5ppb | -45°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-V-10.000MHZ-M10 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±10ppb | -55°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-X-10.000MHZ-I3 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±3ppb | -45°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-V-10.000MHZ-I3-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±3ppb | -45°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-X-10.000MHZ-I3-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±3ppb | -45°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-X-10.000MHZ-M5 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±5ppb | -55°C ~ 85°C |
| AOCJY5-10.000MHZ | Abracon晶振 | AOCJY5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 12V | ±50ppb | -55°C ~ 85°C |
| AOCJY6-10.000MHZ-5 | Abracon晶振 | AOCJY6 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 12V | ±0.5ppb | -20°C ~ 70°C |
| AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-1 | Abracon晶振 | AOCJY7TQ | VCOCXO | 100MHz | Sine Wave | 12V | ±100ppb | -40°C ~ 70°C |
| AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-5 | Abracon晶振 | AOCJY7TQ | OCXO | 100MHz | Sine Wave | 12V | ±50ppb | -40°C ~ 70°C |
| AOCJY6-10.000MHZ-1 | Abracon晶振 | AOCJY6 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 11.4 V ~ 12.6 V | ±0.1ppb | -20°C ~ 70°C |
| AOCTQ5-X-10.000MHZ-I5-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±5ppb | -45°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-V-10.000MHZ-I5-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±5ppb | -45°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-X-10.000MHZ-I5 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±5ppb | -45°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-X-10.000MHZ-M10-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±10ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-X-10.000MHZ-M5-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±5ppb | -55°C ~ 85°C |
| AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-2 | Abracon晶振 | AOCJY7TQ | OCXO | 100MHz | Sine Wave | 12V | ±200ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCJYR-24.576MHZ-M6069LF | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 24.576MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCJYR-24.576MHZ-M5834LF | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 24.576MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCJYR-12.800MHZ-M5649LF | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 12.8MHz | LVCMOS | 3.3V | ±20ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-X-10.000MHZ-M10 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±10ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-V-10.000MHZ-M10-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±10ppb | -55°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-V-10.000MHZ-I3 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±3ppb | -45°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-V-10.000MHZ-M5 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±5ppb | -55°C ~ 85°C |
| AOCTQ5-V-10.000MHZ-M5-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±5ppb | -55°C ~ 85°C |
| AOCJY6-10.000MHZ-2 | Abracon晶振 | AOCJY6 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 11.4 V ~ 12.6 V | ±0.2ppb | -20°C ~ 70°C |
| AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-2 | Abracon晶振 | AOCJY7TQ | VCOCXO | 100MHz | Sine Wave | 12V | ±200ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-5 | Abracon晶振 | AOCJY7TQ | VCOCXO | 100MHz | Sine Wave | 12V | ±50ppb | -40°C ~ 70°C |
| AOCJYR-24.576MHZ-M6069LF-T | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 24.576MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCJYR-10.000MHZ-M5625LF-T | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 10MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCJYR-24.576MHZ-M5834LF-T | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 24.576MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCJYR-12.800MHZ-M5649LF-T | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 12.8MHz | LVCMOS | 3.3V | ±20ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCJYR-20.000MHZ-M5627LF-T | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 20MHz | LVCMOS | 3.3V | ±20ppb | -40°C ~ 85°C |
| AOCJY7-100.000MHZ | Abracon晶振 | AOCJY7 | OCXO | 100MHz | Sine Wave | 11.4 V ~ 12.6 V | ±50ppb | -20°C ~ 70°C |
SMI晶振,86M0368 -16,86SMX进口晶振,6G相关设备晶振
日本SMI晶体,53SMX石英晶振,53M320-16,6G基站晶振