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IDT晶振,差分晶振,XUO晶振

IDT晶振,差分晶振,XUO晶振IDT晶振,差分晶振,XUO晶振

产品简介

差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.

产品详情

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Integrated Device Technology, Inc.(以下简称IDT晶振集团),成立于1980年公司发展在各地均设有分公司,全球人员大概在2000左右,总部位于加州圣何塞市主要开发优化客户应用的系统级解决方案.

IDT晶振集团 提供石英晶体振荡器 (XO) FemtoClock® NG 可编程振荡器,能满足几乎任何应用的需求. XL XU 晶体振荡器产品系列是高性能、低抖动时钟源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖动,并可提供多种频率、性能级别、输出类型、稳定性、输入电压、封装、引脚配置和温度等级. 对于寻求在标准振荡器封装中提供高性能和无可比拟的灵活性的时钟源的高级系统设计者而言,FemtoClock NG 器件是他们的理想选择.

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IDT晶振,差分晶振,XUO晶振,差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分晶振相位低,低损耗等特点, 差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz,特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”电源电压做到2.5V-3.3V之间,工作温度,以及储存温度非常宽,客户实验证明工作温度可以到达低温-50度高温到100度,频率稳定度在±20PPM值,输出电压低抖动晶振能达到1V,起振时间为0秒,随机抖动性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.

石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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IDT晶振型号

符号

XUO晶振(5032)

输出规格

-

HCSL

输出频率范围

fo

0.016~670MHz

电源电压

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

频率公差
(含常温偏差)

f_tol

±50×10-6max., ±100×10-6max.

保存温度范围

T_stg

-40+85

运行温度范围

T_use

-10+70,-40+85

消耗电流

ICC

30mA max. (fo170MHz),

待机时电流(#1引脚"L"

I_std

10μA max.

输出负载

Load-R

50Ω

波形对称

SYM

45?55% [at outputs cross point]

0电平电压

VOL

-0.150.15V

1电平电压

VOH

0.580.85V

上升时间下降时间

tr, tf

0.5ns max. [0.1750.525V Level]

差分输出电压

VOD1, VOD2

-更多相关信息资料请联系我们http://www.vc-tcxo.com

差分输出误差

VOD

-

补偿电压

VOS

-

补偿电压误差

VOS

-

交叉点电压

Vcr

250550mV

OE端子0电平输入电压

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1电平输入电压

VIH

VCC×0.7 min.

输出禁用时间

tPLZ

200ns

输出使能时间

tPZL

2ms

周期抖动(1

tRMS

5ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 22ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (Peak to peak)

总抖动(1

tTL

50ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 35ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)]

相位抖动

tpj

1.5ps max. (13.5MHzfo<27MHz) / 1ps max. (27MHzfo<212.5MHz)
[13.5MHz
fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

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XUO 5032

yijin-4在使用IDT晶振时应该注意以下事项:

晶体产品线路焊接安装时注意事项

耐焊性:

将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.IDT晶振,差分晶振,XUO晶振

1)柱面式产品和DIP产品

晶振产品类型

晶振焊接条件

插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下
比如:椭圆形引脚插件,圆柱晶体引脚插件

手工焊接+300°C或低于3秒钟
请勿加热封装材料超过+150°C

SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230°

+260°C或低于@最大值 10 s
请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD产品回流焊接条件图

用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断.请联系我们以便获取相关信息.

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尽可能使温度变化曲线保持平滑:

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