西迪斯晶振,贴片晶振,TF32晶振,TF322P32K7680R晶振,TFA32晶振,TFE32晶振

32.768KHZ系列,在当今全球晶振市场说的上是质优价廉,产品本身外观是多种化,体积有大有小,有二个脚SMD焊接模式,也有三个脚SMD焊接模式,一样有四个脚焊接模式,还有时钟模块焊接模式,产品具有无源32.768KHZ,也有带电压模式的32.768KHZ晶体系列,产品应用范围非常广阔,比如多种电子消费类,手机应用,蓝牙多功能播放器,无线通讯产品,平板电脑等多个领域,因32.768KHZ晶体本身外观款式多元化,所以适合多个产品应用.并且满足欧盟ROHS环保要求,晶体本身有重量轻,体积小,超薄型等多种优势,得到市场认可.

CTS晶振公司成立于1896年,CTS公司(NYSE:CTS)是一个领先的设计师和制造商的传感器、执行器和电子组件石英晶振在航空航天、通讯、国防、工业、信息技术、医疗和交通运输市场.本公司在北美、亚洲和欧洲拥有12个生产基地,致力于为全球各地的工业伙伴提供先进的技术、卓越的客户服务和优越的价值.CTS的目标是在技术的前沿,为世界各地的产品和服务的创造和提升提供创新的石英晶振,晶体振荡器,传感、连接和运动解决方案.

CTS晶振公司为信息技术和电信市场提供贴片晶振,温补晶振,石英晶体振荡器等多种电子元件.这些可以在宏小区基站发现,小蜂窝基站、卫星通信系统、回程通信的应用,以及无线和有线基础设施.CTS在信息技术和电信市场的创新支持市场部门的发展趋势,如低功耗,更小的形式因素,增加带宽需求和物联网（物联网）.

CTS晶振公司自1896年以来,CTS晶振一直是未来的一部分.随着技术的不断进步,我们也一直在与之一起,为满足人们不断变化的需求而设计智能的方法.我们的产品在许多行业都得到了认可,所生产石英晶振,高精度贴片晶振,晶体振荡器的性能、可靠性和工程技术都很出色.我们的客户以我们卓越的、一贯的服务水平和我们与他们合作的能力来评价我们.我们的全球足迹使我们能够为全球市场和大公司服务,并与本地市场中的中小企业合作,从而实现一个智能和无缝的世界.

插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能,

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）.使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.

CTS晶振规格	单位	CTS晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6(标准), (±15 × 10-6～ ±50 × 10-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12.5pF ～ ∞	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

在使用CTS晶振时应注意以下事项

石英晶体振荡器和实时时钟模块：

所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.

噪音

在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

电源线路

电源的线路阻抗应尽可能低.

输出负载

建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方（在20 mm范围之间）.

未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.