在十年的时间里希华晶体科技刻苦专研,开发大量新产品,正式从原始普通石英晶体谐振器,慢慢的步入SMD晶体,有源贴片晶振领域,并且成功在1998年回到祖国的怀抱,到了没了的中国广东省东莞市投资建厂, 主要生产SMD晶振系列,刚开始以有源5070mm石英晶体振荡器为主.后在慢慢的开始量产常规石英晶体谐振器,后以小尺寸3225mm,2520mm尺寸为主.
希华晶振晶体科技有限公司成立于1988年,希华正式成立,资本额为1,500万元整,开始以普通石英频率控制元件之研发、设计、生产与销售.从人工晶棒长成到最终产品,透过最佳团队组合及先进之生产技术,建立完整的产品线,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶体、石英晶体振荡器、晶体滤波器、温度补偿型(TCXO晶振)及电压控制型(VCXO晶振)产品等,以健全的供应炼系统,为客户提供全方位的服务.
导入先进微机电制程创新研发技术
希华晶振晶体科技有限公司敏锐地掌握电子产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流,致力于开发小型化、高频与光电领域,石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,无源晶振等产品,与日本同业并驾齐驱.且深耕微机电(MEMS)技术领域,加速导入TF SMD Crystal的量产,藉以扩大公司营收规模并且提升获利空间.
希华晶振晶体科技有限公司藉由台湾、日本、大陆三地的产品设计开发与制程资源整合,不断开发创新及制程改造,以全系列完整产品线,来满足客户对石英元件多样化的需求.积极地透过产学合作与配合国外技术引进开发新产品,多角化经营、扩大市场领域,此亦为公司得以永续经营的方针.
希华晶振,石英晶振,SX-7050晶振,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.
|
希华晶振规格 |
单位 |
SX-7050晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
6MHZ~100MHZ |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-40°C ～ +90°C |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-10°C ～ +60°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ～ 100μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
|
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
16PF,20PF,30PF |
超出标准说明,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用希华晶振时应注意以下事项:
一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. （请参阅芯片组的规格）
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.
一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：
线路连接的电阻（R）与晶体串联
（2）从起点到振荡的停止点调整R的值.
（3）振荡期间测量R的值.
（4）你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.希华晶振,石英晶振,SX-7050晶振
如果石英晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况：
降低外部电容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）.
采用具有较低电阻（RR）的晶振.
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.
当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系亿金电子晶振工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.
