日本电波工业株式会社NDK晶振经营范围：晶体谐振器、晶体振荡器等晶体元器件、应用器件、石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,人工水晶及芯片等的晶体相关产品的制造与销售
NDK晶振日本电波工业株式会社已经建立和正在推动一项中期计划的具体减排目标,以减少二氧化碳的排放是全球变暖的原因.它也有助于减少（抑制）CO2排放量,通过使用最先进的技术,实现最小化,以及减少石英晶体谐振器,石英晶体的重量和功耗,以支持社会的需要.
日本电波工业株式会社NDK晶振的新概念的温补晶振,石英晶体振荡器器件.通过产品生命周期提高整体节能贡献和环境绩效的举措.制造-环境友好生产—优化-提高性能/效率的节能贡献—通过制造致密/复杂产品减少资源节约—环境消除/减少环境负荷物质—这些是倡议的支柱.
NDK晶振,VCXO晶振,NV7050SF晶振,CMOS输出压控晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数.
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NDK晶振型号 |
NV7050SF晶振 |
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输出频率范围 |
1.25M~62MHZ |
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标准频率 |
2.048MHZ/10MHZ/25MHZ/30.72MHZ/38.4MHZ/50MHZ/61.44MHZ |
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电源电压范围 |
+1.68~+3.5V |
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电源电压（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗电流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
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待机时电流 |
-更多详细参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com/ |
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输出电压 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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输出负载 |
10kΩ//10pF |
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频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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温度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃ |
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电源电压特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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负载变化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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长期变化 |
±1.0×10-6max./year |
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频率控制 |
控制灵敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V |
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频率控制极性 |
正极性 |
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日本电波7050压控晶振型号
NDK压控晶振型号
尺寸大小
频率范围
输出规格
频率
电压
L
W
H
Min.
Max.
[×10-6]
[VCC]
NV7050SF压控晶振
7.0
5.0
1.6
1.25
62
CMOS
±50
+3.3
122.88
NV7050SA晶振
7.0
5.0
1.6
62
170
CMOS
±50
+3.3
NV7050SA(低相位噪声)
7.0
5.0
1.6
100
200
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA贴片晶振(高温范围）
7.0
5.0
1.6
122.88
122.88
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA压控振荡器
7.0
5.0
1.6
80
170
LVPECL
±50
+3.3
(mm)
(MHz)
偏差
(V)
在使用NDK晶振时应注意
有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.NDK晶振,VCXO晶振,NV7050SF晶振,CMOS输出压控晶振
机械处理
当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.
