日本电波工业株式会社NDK晶振抢先取得社会需求,为客户提供高质量的服务与晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振.追求使用更方便、更稳定的发振源,创造更高的附加价值.
NDK晶振日本电波工业株式会社作为压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、压电陶瓷谐振器、晶体元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立.
现在我们作为提供电子业必不可少的,在丰富用途被广泛使用的晶体元器件产品以及应用水晶技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合生产厂家,正以企业的继续成长为目标而努力.
NDK晶振,VCXO晶振,NV5032SA晶振,NV5032SB晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
石英晶振真空退火技术：晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
|
NDK晶振型号 |
NV5032SA晶振 |
|
|
输出频率范围 |
62~170MHz |
|
|
标准频率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
|
|
电源电压范围 |
+1.68~+3.5V |
|
|
电源电压（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
|
|
消耗电流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
|
|
待机时电流 |
-更多详细参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com/ |
|
|
输出电压 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
|
|
输出负载 |
10kΩ//10pF |
|
|
频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
|
温度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃ |
|
|
电源电压特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
|
|
负载变化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
|
|
长期变化 |
±1.0×10-6max./year |
|
|
频率控制 |
控制灵敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V |
|
频率控制极性 |
正极性 |
|
NV5032SB压控晶振参数表
|
NDK晶振型号 |
NV5032SB晶振 |
|
|
输出频率范围 |
1.25~60MHz |
|
|
标准频率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
|
|
电源电压范围 |
+1.68~+3.5V |
|
|
电源电压（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
|
|
消耗电流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
|
|
待机时电流 |
-更多详细参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com/ |
|
|
输出电压 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
|
|
输出负载 |
10kΩ//10pF |
|
|
频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
|
温度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃ |
|
|
电源电压特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
|
|
负载变化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
|
|
长期变化 |
±1.0×10-6max./year |
|
|
频率控制 |
控制灵敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V |
|
频率控制极性 |
正极性 |
|
NDK电压控制晶体振荡器型号
NDK压控晶振型号
尺寸大小
频率范围
输出规格
频率
电压
L
W
H
Min.
Max.
[×10-6]
[VCC]
NV5032SB晶振
5.0
3.2
1.2
1.25
62
CMOS
±50
+3.3
NV5032SA晶振
5.0
3.2
1.2
62
170
CMOS
±50
+3.3
NV5032SC(低相位噪声)
5.0
3.2
1.2
100
200
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SF压控晶振
7.0
5.0
1.6
1.25
62
CMOS
±50
+3.3
122.88
NV7050SA贴片晶振
7.0
5.0
1.6
62
170
CMOS
±50
+3.3
NV7050SA(低相位噪声)
7.0
5.0
1.6
100
200
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA(高温范围）
7.0
5.0
1.6
122.88
122.88
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA压控振荡器
7.0
5.0
1.6
80
170
LVPECL
±50
+3.3
(mm)
(MHz)
偏差
(V)
在使用NDK晶振时应注意
清洁
对于可清洗晶振产品,应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等.
储存
晶体振荡器的环境温度和湿度储存应根据常温和正常情况而定湿度（+5至45°C和10至75％）.温度和湿度以上显示的是确保环境的环境标准晶体振荡器的特性在进入时不会恶化使用或在长时间不使用电源后使用施加电源电压.但是,电气和机械特性,如振荡频率老化特性和焊接性能,可能会随时间而变化.因此它是建议不要将晶体振荡器存放起来长期（三个月或更长时间）,虽然取决于关于他们的规格和配置,存储期限将不同.NDK晶振,VCXO晶振,NV5032SA晶振,NV5032SB晶振
此外,请勿将晶体振荡器存放在环境中高温高湿（相对湿度：75％或更多）以及产生腐蚀性气体的地方.如果你需要在暴露于海洋的环境中使用晶体振荡器微风或湿度高的地方和露水凝结容易发生,考虑使用密封的.
NDK晶振,VCXO晶振,NV5032S晶振,压控晶体振荡器