Pletronics晶振公司创建于1979年,主要研发生产晶振,石英晶振,有源晶体,石英晶体振荡器等元件.至今已有超过30年之久的工程和制造经验.所生产的产品使用范围广包括亚洲、欧洲和北美的制造业.Pletronics晶振公司拥有国际工程,物流和销售支持.产品设计创新,价格竞争有优势,订货交期时间短在业界具有较好的声誉.
Pletronics晶振公司关注用户需求,不断研发新品,改善现有产品.能够满足不同客户对于石英晶振, 贴片晶振,温补晶体振荡器等频率控制元件的需求提供一个完整的解决方案.
Pletronics晶振公司运用ISO14001环境管理系统进行环境管理,尽最大可能减小业务活动对环境造成的负担,并通过业务发展推进环境改善.
Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振，差分石英晶体振荡器、差分晶振使用于网络路由器、SATA,光纤通信,10G以太网、超速光纤收发器、网络交换机等网络通讯设备中.网络设备对高标准参考时钟的需求尤其突出,要求做为系统性能重要参数的相位抖动具备低抖动特征.使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰（EMI）是高度免疫的.差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性.
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数.
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Pletronics晶振型号
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符号 |
LV55D晶振 |
|
输出规格 |
- |
LVDS |
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输出频率范围 |
fo |
13M?220MHz |
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电源电压 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
频率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存温度范围 |
T_stg |
-40?+85℃ |
|
运行温度范围 |
T_use |
-10?+70℃ ,-40?+85℃ |
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消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
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待机时电流（＃1引脚"L"） |
I_std |
10μA max. |
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输出负载 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
|
波形对称 |
SYM |
45?55% [at outputs cross point] |
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0电平电压 |
VOL |
-更多晶振参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com |
|
1电平电压 |
VOH |
- |
|
上升时间 下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
|
差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247?0.454V |
|
差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
补偿电压 |
VOS |
1.125?1.375V |
|
补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉点电压 |
Vcr |
- |
|
OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
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输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
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周期抖动（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
总抖动（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
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相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
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Pletronics晶振型号 |
符号 |
LV55F晶振 |
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输出规格 |
- |
LVDS |
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输出频率范围 |
fo |
13?220MHz |
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电源电压 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
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频率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存温度范围 |
T_stg |
-40?+85℃ |
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运行温度范围 |
T_use |
-10?+70℃ ,-40?+85℃ |
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消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
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待机时电流（＃1引脚"L"） |
I_std |
10μA max. |
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输出负载 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
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波形对称 |
SYM |
45?55% [at outputs cross point] |
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0电平电压 |
VOL |
-更多晶振参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com |
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1电平电压 |
VOH |
- |
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上升时间 下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
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差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247?0.454V |
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差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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补偿电压 |
VOS |
1.125?1.375V |
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补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉点电压 |
Vcr |
- |
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OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
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输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
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周期抖动（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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总抖动（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
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相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用Pletronics晶振时应注意以下事项：
产品设计人员在设计振荡回路的注意事项
1. 驱动能力
驱动能力说明石英晶体振荡器所需电功率,其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示石英晶振的有效电阻,而且 Re=R1（1+Co/CL）2.
2. 振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡.为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻.
3. 负载电容
如果振荡电路中晶振的负载电容不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示.电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS.
其中CS表示电路的杂散电容.Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振
EPSON晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振
CTS晶振,差分晶振,653晶振,654PL晶振,655晶振