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Jauch晶振,石英晶体,JXS32晶振,JXS32P4晶振,JXS32-WA晶振

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产品简介

超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,

产品详情

Jauch-1

Jauch晶振集团是石英晶体、晶体振荡器和电池技术的主要专家之一.公司成立于1954,现在是一家领先的压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体频率控制产品行业的公司,最近也有创新的MEMS计时时钟.

Jauch晶振深入的技术咨询、高应用程序和认证技术、先进的测试环境、高可用性和快速交付的产品以及世界上最大的频率生成设备仓库.

2003年以来,Jauch Quartz France一直是Jauch晶振集团的组成部分.快速反应时间,一个有才华员工的小而灵活的团队,以及我们强大的客户中心使我们成为典型的Jauch公司.我们提供各种压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、石英晶振,有源晶振,压控振荡器产品,Jauch的产品组合.电力供应、连接器和电缆、声学组件、键盘和变压器为我们提供了在法国市场上额外的销售和增长机会.

Jauch石英晶振集团位于villingen - schwenningen的总部的生产设施,以及时的方式满足世界各地的客户需求:MEMS振荡器在我们自己的生产设施中配置和交付,并注重及时.

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Jauch晶振,石英晶体,JXS32晶振,JXS32P4晶振,JXS32-WA晶振,小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.

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Jauch晶振规格

单位

JXS32晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

10.00MHZ~54.0MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C +90°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6(标准),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

Jauch晶振规格

单位

JXS32P4晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

10.00MHZ~54.0MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C +125°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6(标准),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

Jauch晶振规格

单位

JXS32-WA晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

13.56MHZ~52MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C +105°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6(标准),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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JXS32晶振尺寸图:

jxg32p4 3225

JSX32P4晶振尺寸图:

jxs32p4 3225

JXS32-WA晶振尺寸图:

jxs32wa 3225

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在使用Jauch晶振时应该注意以下事项:

以下是设计振荡回路

产品设计人员在设计振荡回路的注意事项

1. 驱动能力
驱动能力说明石英晶体振荡器所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re
表示石英晶振的有效电阻,而且 Re=R11+Co/CL2.

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2. 振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡.为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻.Jauch晶振,石英晶体,JXS32晶振,JXS32P4晶振,JXS32-WA晶振

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3. 负载电容
如果振荡电路中晶振的负载电容不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示.电路中的负载电容的近似表达式 CLCG × CD / CG+CD + CS.
其中CS表示电路的杂散电容.

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