日本株式会社大真空KDS晶振集团设立在日本国兵库县加古川市平冈町新在家,创业时间为1959年11月3日,正式注册成立是在1963年5月8日,当时注册资金高达321亿日元之多,主要从事电子元件以及电子设备生产销售一体化,包括晶体谐振器,音叉型晶体谐振器,晶体应用产品,晶体振荡器,晶体滤波器,晶体光学产品,硅晶体时钟设备,MEMS振荡器等.
日本株式会社大真空KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念“依赖”于“可靠的人”“可靠的产品”和“可靠的公司”.作为全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会,更方便人们更舒适,通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好.
日本大真空株式会社,KDS晶振品牌实力见证未来,KDS集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有压控振荡器,贴片晶振,陶瓷雾化片,32.768K钟表晶振,温补晶振的生产工厂,而天津KDS工厂是全球石英晶体生产最大量的工厂,自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断.
大真空晶振,石英晶振,DSX221SH晶振,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）.使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.
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KDS晶振规格 |
单位 |
民用级DSX221SH晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
12MHZ~54MHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40°C ～ +85°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-30°C ～ +85°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ～ 100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
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KDS晶振规格 |
单位 |
工业级DSX221SH晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
12MHZ~54MHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40°C ～ +105°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40°C ～ +105°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ～ 100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
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KDS晶振规格 |
单位 |
晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
12MHZ~54MHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40°C ～ +150°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40°C ～ +105°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ～ 100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com |
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频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用KDS晶振时应注意以下事项:
晶体产品线路焊接安装时注意事项
耐焊性：
将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.大真空晶振,石英晶振,DSX221SH晶振
（1）柱面式产品和DIP产品
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晶振产品类型 |
晶振焊接条件 |
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插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下 |
手工焊接+300°C或低于3秒钟 |
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SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230° |
+260°C或低于@最大值 10 s |
(2)SMD产品回流焊接条件图
用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断.请联系我们以便获取相关信息.
尽可能使温度变化曲线保持平滑：
TXC晶振,贴片晶振,8Z晶振,8Z-27.000MAAJ-T晶振
泰艺晶振,贴片晶振,XY晶振,XYCCCCNANF-19.200000晶振
ECS晶振,石英晶振,ECX-2236晶振,ECX-2236Q晶振,ECS-200-10-36Q-ES-TR晶振