小型贴片晶振成了当下市场的主流,从过去的大体积晶振到现在3225贴片晶振,2520贴片晶振,2016贴片晶振,1008贴片晶振,不仅代表了晶振的改革,同时见证了各个领域科技产品的更新换代.石英晶体,SMD晶振,石英晶体振荡器在智能产品中都是不可缺少的重要电子元件,为电路提供信号频率,实现正常工作.
1008晶振是目前世界上体积最小的贴片晶振,为了顺应时代发展,满足小型化产品需求,各大品牌相继推出自家的1008贴片晶振.亿金电子代理KDS晶振,爱普生晶振,精工晶体,NDK晶振,京瓷晶振,TXC晶振等国际知名品牌,下面给大家介绍各大品牌1008晶振型号对比,获取更多相关信息也可联系亿金电子0755-27876565.
京瓷CX1008SB晶振
京瓷与大阪大学副教授山村和也共同研发的超高精度加工技术（等离子体CVM技术）,成功减小了频率偏差.该加工技术利用了等离子体中的中性自由基与加工物表面发生化学反应的特性,可以对水晶的厚度及表面状态等进行高精度控制.此外,京瓷晶振高精度半导体工艺技术,提高了水晶元件石英晶振的尺寸精度,有效解决了串联电阻值偏差较大的问题.通过这些技术,可以提高产品生产率,实现产品供给的稳定性.
京瓷CX1008贴片晶振,尺寸大小在1.0x0.8x0.3mm,精小但丝毫不影响到精度让人不得不感叹生产工艺的强大.CX1008晶振频率容许误差也就是我们经常所说的精度,精度可以达到10PPM的精确度,电阻控制在60Ω,具有较强的抗振性能,在温度高达-30℃～+85℃之间频率误差保持在10PPM的高精度完全是没有问题的,具有较高的耐热性,耐恶劣环境等特点.
|
名称 |
CX1008 |
|
用途 |
智能手机、穿戴式终端 |
|
外形尺寸 |
1.0X0.8㎜ |
|
产品高度 |
0.30mm |
|
频率容许误差 |
±10ppm |
|
频率温度特性 |
±10ppm（-30℃～+85℃） |
|
CI值（串联电阻） |
60ΩMAX（37.4MHz） |
|
生产基地 |
京瓷晶体元件株式会社滋贺八日市事业所 |
日本电波NX1008AA晶振
NDK最新推出的石英晶体谐振器——NX1008AA晶振,可谓世界级小体积SMD晶振,尺寸仅有1.0x0.8x0.3mm,具有超小型,厚度超薄等特点,可对应高度Max.0.27mm,频率选用范围广.
NX1008AA晶振频率稳定,低损耗,具有高信赖性,最适用于移动通信,短距离无线通信,消费类电子用,超小型Wireless LAN、Bluetooth.（短距离无线用途）NX1008AA石英晶振采用编带盘装,可对应回流焊,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
|
额定频率范围(MHz) |
32to80 |
|
尺寸大小(L×W×H:mm) |
1.0×0.8×0.30 |
|
泛波次数 |
Fundamental |
|
频率偏差(25±3℃) |
±10×10-6 |
|
频率温度特性(以25℃为基准) |
±10×10-6(32to60MHz) |
|
工作温度范围(*1)(℃) |
-30to+85 |
|
储存温度范围(℃) |
-40to+85 |
|
等效串联阻抗(额定频率：以上～未满) |
Max.150Ω(32to37.4MHz) |
|
驱动功率 |
10µW |
|
负载电容 |
8pF |
|
规格料号 |
STD-CIY-1 |
台湾晶技8A晶振
尺寸仅有1.0x0.8x0.3mm,采用4脚封装,可通过高速自动贴片机焊接,常用频点有37.4M/38.4M/40M/48M等.在产品中使用精度高达10PPM,20PPM,工作温度为-30℃~85℃,保存温度范围在-40℃~85℃.具有环保,节能,高精度,高效,低衰减等特性.主要为各类小型化电子产品,如智能手机,智能手表,智能可穿戴设备等.
|
晶振规格 |
单位 |
8A晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
37.4MHZ~60MHZ |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-30°C～+85°C |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-40°C～+85°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
200μWMax. |
推荐:1μW～100μW |
|
频率公差 |
f_—l |
±50×10-6(标准), |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
|
频率温度特征 |
f_tem |
±30×10-6/-20°C～+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
8pF,10PF |
超出标准说明,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C—+85°C,DL=100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±5×10-6/yearMax. |
+25°C,第一年 |
DX1008JS石英晶体谐振器
日本大真空的DS1008JS晶振和DX1008JS晶振
KDS晶振的DS1008JS晶振,DX1008JS晶振全球最小石英晶体振荡器采用精细密封技术是键合技术,KDS晶振集团独特的生产技术,由晶体和WLP（晶圆级封装）的三个层的键合晶片,常规的结构等效的气密性它被实现了.DS1008JS有源晶振,DX1008JS无源晶振均由保持单元,而无需使用导电性粘接剂的结构允许所述振动部的整体结构,解决了由于体积改小导致的精度不稳定,以及导电粘合剂的安装空间问题,实现了在耐冲击性的改善.另一方面,DS1008JS晶振,DX1008JS晶振采用WLP使生产过程中的处理变得更加容易.
|
型号名称 |
DX1008JS晶振 |
||||
|
频率范围 |
48MHz |
52MHz |
80MHz |
96MHz |
120MHz |
|
泛音顺序 |
根本 |
||||
|
负载能力 |
8pF,10pF,12pF |
||||
|
激励程度 |
10μW（最大100μW） |
||||
|
频率容差偏差 |
±20×10-6（25°C时） |
±100×10-6（25°C时） |
|||
|
串联电阻 |
最大100Ω |
最大60Ω |
最大40Ω |
||
|
频率温度特性 |
±30×10-6/-30至+85°C（参考温度至25°C） |
||||
|
储存温度范围 |
-40至+85°C |
||||
|
包装单位（1） |
3000个/卷（φ180） |
||||
DS1008JS石英晶体振荡器
|
DS1008JS晶振 |
一个符号 |
标准值 |
条件 |
||||
|
分钟. |
（典型值）. |
最大. |
单位 |
||||
|
输出频率范围 |
FO |
1 |
- |
100 |
兆赫 |
||
|
电源电压 |
VCC |
+1.6 |
- |
+3.6 |
V |
||
|
频率允许偏差 |
f_tol |
-100 |
- |
+100 |
×10-6 |
-40至+125°C |
-20至+70°C |
|
-50 |
- |
+50 |
|||||
|
-30 |
- |
+30 |
-30至+85°C |
||||
|
-20 |
- |
+20 |
|||||
|
-20 |
- |
+20 |
-20至+70°C |
||||
|
当前消费 |
我CC |
- |
- |
1.8 |
毫安 |
fo=24MHz,VCC=+1.8V,无负载 |
|
|
待机电流（＃1引脚“L”） |
I_STD |
- |
- |
0.01 |
毫安 |
||
|
输出负载 |
L_CMOS |
- |
- |
15 |
pF的 |
||
|
波形对称 |
SYM |
45 |
50 |
55 |
％ |
在50％VCC下,fo<60MHz |
|
|
上升时间,下降时间 |
tr,tf |
- |
- |
五 |
NS |
10至90％VCC电平 |
|
|
输出启用时间 |
tPZL |
- |
- |
2 |
MS |
||
|
输出禁用时间 |
tPLZ |
- |
- |
200 |
NS |
||
|
OE引脚1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.8 |
- |
- |
V |
||
|
OE引脚0电平输入电压 |
VIL |
- |
- |
VCC×0.2 |
V |
||
|
包装单位（1） |
3000pcs./reel(φ180） |
||||||
SMI晶振,86M0368 -16,86SMX进口晶振,6G相关设备晶振
日本SMI晶体,53SMX石英晶振,53M320-16,6G基站晶振